EMI濾波器的技術(shù)參數(shù)及測試方法
出處:維庫電子市場網(wǎng) 發(fā)布于:2023-06-29 16:58:07
主要技術(shù)參數(shù)
EMI濾波器的主要技術(shù)參數(shù)有:額定電壓、額定電流、漏電流、測試電壓、絕緣電阻、直流電阻、使用溫度范圍、工作溫升Tr、插入損耗AdB、外形尺寸、重量等。上述參數(shù)中重要的是插入損耗(亦稱插入衰減),它是評價電磁干擾濾波器性能優(yōu)劣的主要指標。
插入損耗(AdB)是頻率的函數(shù),用dB表示。設(shè)電磁干擾濾波器插入前后傳輸?shù)截撦d上的噪聲功率分別為P1、P2,有公式:
AdB=10lg(P1/P2) (1)
假定負載阻抗在插入前后始終保持不變,則P1=V12/Z,P2=V2 2/Z。式中V1是噪聲源直接加到負載上的電壓,V2是在噪聲源與負載之間插入電磁干擾濾波器后負載上的噪聲電壓,且V2<
AdB=20lg(V1/V2) (2)
插入損耗用分貝(dB)表示,分貝值愈大, 說明抑制噪聲干擾的能力愈強。鑒于理論計算比較煩瑣且誤差較大,通常是由生產(chǎn)廠家進行實際測量,根據(jù)噪聲頻譜逐點測出所對應(yīng)的插入損耗,然后繪出典型的插入損耗曲線,提供給用戶。給出一條典型曲線。由力疔見,該產(chǎn)品可將1MHz~30MHz的噪聲電壓衰減65dB。
計算EMI濾波器對地漏電流的公式為:
ILD=2πfCVc (3)
式中,ILD為漏電流,f是電網(wǎng)頻率。為例,f=50Hz,C=C3+C4=4400pF,Vc是C3、C4上的壓降,亦即輸出端的對地電壓,可取Vc≈220V/2=110V。由(3)式不難算出,此時漏電流ILD=0.15mA。C3和C4若選4700pF,則C=4700pF×2=9400pF,ILD=0.32mA。顯然,漏電流與C成正比。對漏電流的要求是愈小愈好,這樣安全性高,一般應(yīng)為幾百微安至幾毫安。在電子醫(yī)療設(shè)備中對漏電流的要求更為嚴格。
需要指出,額定電流還與環(huán)境溫度TA有關(guān)。例如國外有的生產(chǎn)廠家給出下述經(jīng)驗公式:
I=I1×[(85-TA)/45的根據(jù)2次方]
式中,I1是40℃時的額定電流。舉例說明,當TA=50℃時,I=0.88I1;而當TA=25℃時,I=1.15I1。這表明,額定電流值隨溫度的降低而增大,這是由于散熱條件改善的緣故
測量插入損耗的方法
測量插入損耗的電路。e是噪聲信號發(fā)生器,Zi是信號源的內(nèi)部阻抗,ZL是負哉阻抗,一般取50Ω。噪聲頻率范圍可選10kHz~30MHz。首先要在不同頻率下分別測出插入前后負載上的噪聲壓降V1、V2,再代入(2)式中計算出每個頻率點的AdB值,繪出插入損耗曲線。需要指出,上述測試方法比較煩瑣,每次都要拆裝EMI濾波器。為此可用電子開關(guān)對兩種測試電路進行快速切換。
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