消費者對手機、數(shù)碼相機、游戲機等便攜式設備功能的需求，已不像當初那樣單一，他們一方面希望功能盡量增加，一方面又希望體積盡量縮小，以方便攜帶。但是消費者對便攜式設備功能的這種無止境需求使得設備內(nèi)部芯片數(shù)量不得不持續(xù)增加，而增加芯片數(shù)量則意味著功耗的增多和體積的增加。在競爭激烈的便攜式設備市場，能否滿足消費者“無理”的需求，對設備供應商來說是挑戰(zhàn)更是機遇。

μCool功率MOSFET效能和體積兼顧 

　　為了滿足業(yè)界對更小型、更輕薄、更快速、更散熱及更可靠的便攜式應用MOSFET器件的需求，安森美半導體公司為便攜式應用帶來了效能與設計靈活度的新功率MOSFET產(chǎn)品μCool系列，新系列通過采用強化散熱的WDFN6封裝技術(shù)，可以在極小的4 mm2面積上取得卓越的熱阻(38°C/W)與額定功率(1.9 W)，額定持續(xù)功率比業(yè)界標準SD-88封裝提高了高達190%，比SD-70-6扁平引腳封裝提供高了130%。因此由功率的角度來看，采用WDFN6封裝的μCool器件能更有效益的使用便攜式應用中寶貴的電路板空間。 

　　其中推出的六款產(chǎn)品中，20V P-通道單NTLJS3113PT1G與雙NTLJD3115PT1G 均過經(jīng)優(yōu)化, 在4.5 V時導通電阻RDS(on)分別為42 mΩ與100 mΩ，適用于鋰離子電池充電應用；20 V P-通道FETKy NTLJF3117PT1G (100 mΩ) 經(jīng)過優(yōu)化，適用于將3 V到4 V的電池電壓轉(zhuǎn)換為微處理器使用的1.1 V電壓應用；30V N-通道NTLJS4159NT1G(35 mΩ)與FETKy NTLJF4156NT1G (70 mΩ) 經(jīng)過優(yōu)化后，適用于白光LED背光等同步升壓應用；30V N-通道雙NTLJD4116NT1G (70 mΩ) 經(jīng)過優(yōu)化，則適用于照相機快門與閃光等低電壓端開關(guān)。 

　　“我們設計μCool?產(chǎn)品系列的主要目的是解決便攜式設備，例如鋰離子電池充電電路、高、低電壓端負載開關(guān)以及同步升降壓電路中所面臨的獨特電源管理問題。這些新的μCool器件只是一個開端，我們將陸續(xù)提供一系列采用我們溝槽式技術(shù)的產(chǎn)品，工作電壓范圍由8 V到30 V，并提供各種不同配置，包括單、雙、FETKy、互補與集成型負載開關(guān)?！?安森美半導體功率MOSFET產(chǎn)品市場營銷總監(jiān)高天寶(Thibault Kassir)表示。 
　　雖然新推出的μCool功率MOSFET系列擁有與標準SC-88和SC-70-6封裝相同的占位面積，但是卻提供了更多性能。μCool功率MOSFET系列在底面露出一個可以做為漏極接點以及散熱路徑的連接面，強化后的散熱路徑能處理更高功率或在更低接點溫度工作。這些選擇在采用電池運作的設備上更為重要，因為更低的接點溫度也就代表了更低的導通電阻RDS_(on) 或更少的功耗，進而可以延長電池的使用壽命，而這正是手機、數(shù)字相機、便攜式游戲機、便攜式定位系統(tǒng)，以及任何采用電池運作的消費電子產(chǎn)品在考慮許多功耗問題時的一個極重要因素。

小封裝低壓模擬開關(guān)迎合音頻應用 
　　 隨著手機及其它便攜式產(chǎn)品的日益普及，以及功能的不斷增加。包括照相、電子郵件、即時消息及互聯(lián)網(wǎng)訪問在內(nèi)的更強特性集有多條數(shù)據(jù)路徑需要控制。利用模擬開關(guān)一方面可以通過關(guān)閉和打開某些功能來設計針對不同市場的個性化產(chǎn)品，但不必耗時費錢地修改芯片組，從而降低OEM和ODM的開發(fā)風險。另一方面，通過切換功能還可以降低便攜式設備的功耗。據(jù)市場調(diào)研公司Databeans 預測，模擬開關(guān)的銷售額2007年將達到3億美元以上，如圖1所示。其中包括手機在內(nèi)的通訊領(lǐng)域約占總體銷售額的31%。 
　　但是隨著產(chǎn)品的體積減小和功能增加，印制電路板面積變得更加珍貴?！翱臻g受限的便攜式應用客戶期望在引腳尺寸較小的封裝內(nèi)獲得更高性能。安森美半導體的新型模擬開關(guān)滿足了客戶的該項需求?？蛻舴错懛浅７e極。一些客戶已經(jīng)在其的手機設計中采用了該器件，而且正投入量產(chǎn)?！?安森美半導體邏輯及模擬開關(guān)部總監(jiān)Dan Huettl表示。 

　　NLAS3799MNR2G、NLAS5223MNR2G和NLAS5123MNR2G是該公司針對便攜和無線音頻應用推出的三種新型低電阻模擬開關(guān)，采用無鉛薄型QFN/薄型DFN封裝，據(jù)稱是業(yè)內(nèi)體積、性能的音頻模擬開關(guān)。 

　　其中，NLAS3799MNR2G是低壓、超小Ron的雙雙極雙擲（雙DPDT）開關(guān)。它的總諧波失真為0.11%，Ron低至0.35歐姆，采用無鉛16引腳薄型QFN封裝，尺寸為2.6 mm x 1.8 mm x 0.75 mm，占據(jù)的板空間比同類競爭產(chǎn)品小48%。在獲得優(yōu)越的音頻性能和超低功耗的同時還大大減小了占板面積。另外，安森美還提供了支持1.8V輸入偏差的低壓邏輯型號NLAS3799LMNR2G。 

　　NLAS5223MNR2G是低壓、超小Ron的雙單極雙擲（雙SPDT）開關(guān)。該模擬開關(guān)提高了低Ron 性能，引腳尺寸比常用的NLAS4684MNR2G小70%?？傊C波失真為0.12%，Ron低至0.35 歐姆，具有優(yōu)越的音頻性能和超低功耗。其低壓邏輯電平型號NLAS5223LMNR2G同樣支持1.8V輸入偏差。此類器件全部采用無鉛10引腳薄型QFN封裝，尺寸為1.4 mm x 1.8 mm x 0.75 mm。 

　　NLAS5123MNR2G是1歐姆Ron、單單機雙擲（單SPDT）模擬開關(guān)，總諧波失真為0.012 %，具有瞬時短路功能。此類器件采用無鉛6-引腳薄型DFN封裝，尺寸為1.2 mm x 1.0 mm x 0.75mm，占據(jù)的空間比競爭產(chǎn)品小53%。 
　　據(jù)Dan Huettl介紹，三種新型高性能音頻模擬開關(guān)專為低工作電壓的便攜和無線應用中要求導通電阻（Ron）小的較大功率音頻應用。將會很快出現(xiàn)在手機、掌上電腦和MP3 播放器等產(chǎn)品中。

持續(xù)分立元件封裝的小型化 

　　對于便攜產(chǎn)品來說，縮小器件尺寸是當下的一個重要目標。由于終端應用的產(chǎn)品和功能如手機、數(shù)字消費電子愈趨復雜，它們要求的電源能效也由一般的65%提升至85%至90%，這對的分立功率半導體帶來增長的潛質(zhì)。安森美半導體已通過擴大SOx723封裝系列中的技術(shù)，直接回應業(yè)內(nèi)對超小型分立元件的需求?！拔覀兊谋銛y式產(chǎn)品客戶需要在電源管理、開關(guān)和保護應用中采用更小的二極管和晶體管，以便在其便攜式產(chǎn)品中集成更多特性——而不會增大其終端產(chǎn)品的尺寸或降低電源效率。推出微型SOD-723封裝的六種常用分立元件是安森美半導體持續(xù)擴大小型化分立元件產(chǎn)品系列的一部分?！?安森美半導體小信號產(chǎn)品部總經(jīng)理Mamoon Rashid表示。 
　　該公司近期宣布，為持續(xù)應對便攜式產(chǎn)品業(yè)對分立元件封裝的進一步小型化的需求，繼擴大SOx723封裝系列后，再次推出封裝僅為1.4mm x 0.6mm x 0.5mm SOD-723的三種新型肖特基二極管和三種新型ESD二極管，以滿足業(yè)界分立器件小型化的需求。 
　　采用SOD-723封裝的器件包括業(yè)內(nèi)正向電壓（Vf）和反向漏電流（Ir）性能的肖特基二極管，以及ESD保護程度的ESD二極管。與SOD-323封裝相比，SOD-723占位面積減少73%，高度降低50%；與前一代SOD-523封裝相比，SOD-723占位面積減少13%，高度降低28%。 

　　其實，早在去年，為協(xié)助一直處于削減其設計各個方面成本的巨大壓力之下的便攜式和無線產(chǎn)品制造商，安森美就把目光轉(zhuǎn)向了分立元件，以期獲得可能的成本節(jié)約。通過采用經(jīng)加強的硅技術(shù)和先進封裝，該公司開發(fā)了系列高性能VCE(sat) 雙極結(jié)晶體管（BJT），其所提供的低飽和電壓性能與較昂貴的分立解決方案的 RDS(on) 性能相當，在降低電路總成本的同時，還為各種便攜式應用如手機、PDA、媒體播放器、筆記本電腦和數(shù)碼相機提供了更高的電源效率和更長的電池壽命。這次采用1.4mm x 0.6mm x 0.5mm封裝尺寸的SOD-723封裝則進一步幫助制造商節(jié)約了手機、PDA、數(shù)碼相機、筆記本電腦、消費電子產(chǎn)品、媒體播放器等的電路板空間。