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安森美半導(dǎo)體推出11個(gè)新型低飽和電壓BJT

出處:aidsheng 發(fā)布于:2007-10-19 10:13:49

電源管理解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)宣布,進(jìn)一步拓展其在業(yè)內(nèi)的低飽和電壓(Vce(sat))雙極結(jié)晶體管(BJT)產(chǎn)品系列至WDFN6、WDFN3、SOT-23、SOT-563和ChipFET的封裝。這些備有多種封裝選擇的新器件采用先進(jìn)硅技術(shù),與傳統(tǒng)BJT或者平板MOSFET相比,其電源效率更佳,電池壽命更長(zhǎng)。這些新器件是各種便攜式應(yīng)用的理想選擇。 

        安森美半導(dǎo)體分立產(chǎn)品部總經(jīng)理Mamoon Rashid說:“安森美半導(dǎo)體將持續(xù)拓展便攜式產(chǎn)品系列,從而使設(shè)計(jì)更靈活,并實(shí)現(xiàn)的節(jié)能。我們的BJT在同類產(chǎn)品中脫穎而出,在業(yè)內(nèi)是電源功耗少且熱性能。我們已將該系列擴(kuò)展到20個(gè)以上的產(chǎn)品,在目前市場(chǎng)上高性能BJT方面為設(shè)計(jì)工程師提供多的選擇。 

        新型低Vce(sat)表面貼裝器件是特別針對(duì)低電壓,高速轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)而成,其中電源效率控制至關(guān)重要。其特征為超低Vce(sat)—1安培下45毫伏(mV) – 和高電流增益。它們具有 >8,000伏 (V)的出色靜電放電 (ESD)耐受性,可以在發(fā)生意外浪涌和損害的情況下進(jìn)行自我保護(hù)。其電性能優(yōu)越和溫度系數(shù)低,提高了電源效率,并終提高了電池電力保持能力。 

        SOT-23是業(yè)內(nèi)的封裝之一,且價(jià)格。SOT-563是的新型BJT封裝(1.6 mm x 1.6 mm x 1.0 mm)。 兩種WDFN封裝為2.0 mm x 2.0 mm,并且高度低,為0.7 mm,是目前市場(chǎng)上便攜式應(yīng)用中的熱效率的。3.0 mm x 2.0 mm x 1.0 mm的ChipFET的整體性能。 

        這些器件理想應(yīng)用于電源管理、電池充電、低壓降穩(wěn)壓、振動(dòng)馬達(dá)、LED背光、磁盤驅(qū)動(dòng)控制、照相機(jī)閃光燈以及低降壓/升壓轉(zhuǎn)換器。 

        封裝及定價(jià) 

        完整的低Vce(sat) BJT系列備有多種行業(yè)的封裝,包括SOT-23、SOT-563、WDFN、ChipFET、SC-88、SC-74和TSOP-6。每10,000片的批量單價(jià)由0.18到0.40美元不等。

要獲得更多關(guān)于安森美半導(dǎo)體低Vce(sat)器件系列的信息,請(qǐng)?jiān)L問www.onsemi.com.cn,關(guān)鍵字為 “BJT” ,或聯(lián)系Steve Sheard(電郵地址:steve.sheard@onsemi.com)。


  
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