安森美半導(dǎo)體推出11個(gè)新型低飽和電壓BJT
出處:aidsheng 發(fā)布于:2007-10-19 10:13:49
安森美半導(dǎo)體分立產(chǎn)品部總經(jīng)理Mamoon Rashid說:“安森美半導(dǎo)體將持續(xù)拓展便攜式產(chǎn)品系列,從而使設(shè)計(jì)更靈活,并實(shí)現(xiàn)的節(jié)能。我們的BJT在同類產(chǎn)品中脫穎而出,在業(yè)內(nèi)是電源功耗少且熱性能。我們已將該系列擴(kuò)展到20個(gè)以上的產(chǎn)品,在目前市場(chǎng)上高性能BJT方面為設(shè)計(jì)工程師提供多的選擇。
新型低Vce(sat)表面貼裝器件是特別針對(duì)低電壓,高速轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)而成,其中電源效率控制至關(guān)重要。其特征為超低Vce(sat)—1安培下45毫伏(mV) – 和高電流增益。它們具有 >8,000伏 (V)的出色靜電放電 (ESD)耐受性,可以在發(fā)生意外浪涌和損害的情況下進(jìn)行自我保護(hù)。其電性能優(yōu)越和溫度系數(shù)低,提高了電源效率,并終提高了電池電力保持能力。
SOT-23是業(yè)內(nèi)的封裝之一,且價(jià)格。SOT-563是的新型BJT封裝(1.6 mm x 1.6 mm x 1.0 mm)。 兩種WDFN封裝為2.0 mm x 2.0 mm,并且高度低,為0.7 mm,是目前市場(chǎng)上便攜式應(yīng)用中的熱效率的。3.0 mm x 2.0 mm x 1.0 mm的ChipFET的整體性能。
這些器件理想應(yīng)用于電源管理、電池充電、低壓降穩(wěn)壓、振動(dòng)馬達(dá)、LED背光、磁盤驅(qū)動(dòng)控制、照相機(jī)閃光燈以及低降壓/升壓轉(zhuǎn)換器。
封裝及定價(jià)
完整的低Vce(sat) BJT系列備有多種行業(yè)的封裝,包括SOT-23、SOT-563、WDFN、ChipFET、SC-88、SC-74和TSOP-6。每10,000片的批量單價(jià)由0.18到0.40美元不等。
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