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DTD743EMT2L

更新時間:2025-05-19 22:12:35

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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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DTD743EMT2L外觀圖

DTD743EMT2L

ROHM Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式

TRANS DIGITAL NPN 30V 200MA VMT3

封裝:SOT-723

DTD743EMT2L 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
8,000
類別
分離式半導體產品
家庭
晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
系列
-
晶體管類型
NPN - 預偏壓
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
200mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
30V
電阻器 - 基極 (R1)（歐）
4.7k
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）
4.7k
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
115 @ 100mA，2V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
300mV @ 2.5mA，50mA
電流 - 集電極截止（最大）
500nA
頻率 - 轉換
260MHz
功率 - 最大
150mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SOT-723
供應商設備封裝
VMT3
包裝
帶卷 (TR)

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