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DMN55D0UT-7

更新時間:2025-07-06 16:37:57

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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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原裝現貨，當天可交貨，原型號開票

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原廠渠道，現貨配單

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SOT523/21+22+
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深圳市高捷芯城科技有限公司
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深圳市萬佳電子貿易有限公司
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藍界科技（深圳）有限公司
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云漢時代半導體(深圳）有限公
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柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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SOT5233/22+
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DMN55D0UT-7 概述

DMN55D0UT-7是由Diodes Incorporated生產的N溝道MOSFET。該器件采用DFN1212封裝，具有極小的尺寸，適合空間受限的應用場景。其最大漏源電壓為30V，適用于低壓電路設計。典型應用包括負載開關、電源管理及便攜式設備中的DC-DC轉換器。在便攜式電子設備中，如智能手機和平板電腦，DMN55D0UT-7常用于高效電源路徑管理，減少功耗并延長電池壽命。由于其低導通電阻特性，在高頻率開關應用中也能保持較低的功率損耗。使用時需注意柵極驅動電壓的選擇以確保完全開啟MOSFET。在實際電路設計中，建議將源極和柵極之間加入適當的退耦電容以提高穩(wěn)定性。對于需要緊湊布局和高性能表現的設計來說，這款MOSFET是一個理想選擇。

DMN55D0UT-7 規(guī)格參數

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
50V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
160mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4 歐姆 @ 100mA，4V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
-
輸入電容 (Ciss) @ Vds
25pF @ 10V
功率 - 最大
200mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SOT-523
供應商設備封裝
SOT-523
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
DMN55D0UTDITR

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