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DMN100-7-F

更新時間:2025-07-05 04:47:14

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詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
DMN100-7-F
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市芯福林電子科技有限公司
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深圳市港深電子有限公司
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原裝現貨，市場價格

深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司
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300000
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深圳市南科功率半導體有限公司
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深圳市芯引力電子科技有限公司
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深圳現貨只做原裝芯引力電子 https//www.xyl-mlcc

深圳市正納電子有限公司
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深圳市華美銳電子有限公司
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深圳市安富世紀電子有限公司
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終端可以免費供樣，支持BOM配單

深圳市福啟達科技有限公司
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6000
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23+/SC59
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現代芯城（深圳）科技有限公司
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80000
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一級代理保證

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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7300
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深圳市高捷芯城科技有限公司
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貿澤芯城（深圳）電子科技有限
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原裝，原廠渠道，十年BOM配單專家

深圳市創(chuàng)芯聯盈電子有限公司
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深圳市萬佳電子貿易有限公司
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中科航電（深圳）電子集團有限
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一手渠道假一罰十原包裝常備現貨林R Q2280193667

深圳市匯創(chuàng)佳電子科技有限公司
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深圳市中元偉業(yè)電子商行
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上海祥增電子科技有限公司
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綠盛電子(香港)有限公司
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昂富（深圳）電子科技有限公司
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藍界科技（深圳）有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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97259
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云漢時代半導體(深圳）有限公
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SC59SOT2/26+
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深圳市金科創(chuàng)世紀電子有限公司
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10000
DIODES/美臺
SC593/-
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DMN100-7-F 概述

DMN100-7-F是Diodes Incorporated生產的一款N溝道MOSFET。該器件采用SOT-23封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適合用于高效電源管理電路中。其最大漏源電壓為-70V，適用于DC-DC轉換器、負載開關及電池充電管理等應用場合。在實際應用中，需注意柵極驅動電壓的選擇以確保MOSFET完全導通，減少導通損耗。設計電路時應考慮適當的散熱措施，防止因過熱導致性能下降或損壞。與其他分立元件配合使用時，需保證各元件參數匹配良好，以實現最佳的電路性能。

DMN100-7-F 規(guī)格參數

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.1A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
240 毫歐 @ 1A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
5.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
150pF @ 10V
功率 - 最大
500mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝
SC-59-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
DMN100-FDITR

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DMN10H170SK3-13
DMN10H220L-7
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