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DMG4468LFG

更新時間:2025-06-05 11:14:13

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說明
詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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原裝現(xiàn)貨

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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專注電子元件十年，只做原裝現(xiàn)貨

中科航電（深圳）電子集團有限
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

深圳市芯齊壹科技有限公司展會宣傳
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可查官網(wǎng)https//www.icscjh.com/

藍界科技（深圳）有限公司
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上海祥增電子科技有限公司
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安富微（深圳）商貿有限公司
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深圳市星宇佳科技有限公司
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深圳市金科創(chuàng)世紀電子有限公司
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深圳市華盛錦科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單

深圳市河鋒鑫科技有限公司
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9000
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深圳市芯創(chuàng)恒微電子有限公司
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柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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深圳市博洋芯微電子有限公司
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原裝進口現(xiàn)貨，假一賠十，價格優(yōu)勢

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深圳原裝現(xiàn)貨，可看貨可提供拍照

深圳市藍圖麥浪電子科技有限公
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QFN3030/25+
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DMG4468LFG 概述

DMG4468LFG是由Diodes Incorporated生產的N溝道增強型MOSFET，采用先進的溝槽技術制造，專為高效能電源管理應用設計。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，適合于高頻DC-DC轉換器、負載點調節(jié)器以及電池供電設備中的功率控制電路。其最大漏源電壓（Vds）為30V，連續(xù)漏極電流（Id）可達12A，能夠滿足多種便攜式電子設備的需求。由于其緊湊的封裝形式（DFN3x3），DMG4468LFG特別適用于空間受限的應用環(huán)境，如智能手機、平板電腦和其他消費電子產品中。在實際應用中，需注意柵極驅動電壓的選擇以確保最佳性能，并且在PCB布局時應盡量減小寄生電感和電阻的影響，以提高整體效率。

DMG4468LFG 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
7.62A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
15 毫歐 @ 11.6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
18.85nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
867pF @ 10V
功率 - 最大
990mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-UDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝
8-DFN3030 EP（3x3）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
DMG4468LFGDITR

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