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BSC030N03MSG

更新時間:2025-06-16 01:57:49

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BSC030N03MSG 概述

BSC030N03MSG是一款由英飛凌生產的N溝道MOSFET。該器件采用SuperSO8封裝，具有極低的導通電阻，在柵源電壓為10V時典型值僅為3.0mΩ。其最大漏極電流可達100A，適用于高效直流-直流轉換器、負載點調節(jié)器以及同步整流等高功率密度應用場合。在電源管理電路設計中使用此款MOSFET時，建議注意其最大工作電壓不要超過30V。由于其低導通損耗特性，特別適合于需要高效率和緊湊布局的場合。例如，在筆記本電腦適配器或者服務器電源系統(tǒng)中，可以有效提升整體轉換效率并減小散熱需求。設計時應確保驅動電路能夠提供足夠的柵極電荷以實現快速開關切換，同時要注意PCB布局以優(yōu)化熱性能。

BSC030N03MSG 規(guī)格參數

數據列表
BSC030N03MS G
標準包裝
5,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單路
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3 毫歐 @ 30A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
100A
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
73nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss)
5700pF @ 15V
功率 - 最大
69W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerTDFN
供應商設備封裝
PG-TDSON-8 (5.15x6.15)
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
BSC030N03MSG+F30 BSC030N03MSG+F30INTR BSC030N03MSG+F30INTR-ND BSC030N03MSGINTR BSC030N03MSGXT SP000311506

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