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BC857BLT1G

更新時間:2025-07-03 21:58:36

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封裝/批號
說明
詢價

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深圳市華盛錦科技有限公司
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昂富（深圳）電子科技有限公司
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深圳市信科微科技有限公司
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深圳市思佳捷科技有限公司
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深圳市君云達電子科技有限公司
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深圳市波光電子有限公司
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深圳市石芯電子有限公司
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深圳市科芯源微電子有限公司
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全新原裝現貨，長期供應，免費送樣

斯耐爾（深圳）科技有限責任公
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深圳市岳泰達電子有限公司
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BC857BLT1G外觀圖

BC857BLT1G

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS PNP LP 100MA 45V SOT23

封裝:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

BC857BLT1G 概述

BC857BLT1G是安森美半導體生產的NPN型小信號晶體管，采用SOT-23封裝，適用于表面貼裝工藝。該晶體管具有低噪聲特性，集電極-發(fā)射極擊穿電壓為45V，在IC=10mA時典型增益值hFE最小值為125，非常適合作為放大器應用。其在無線通信設備、音頻處理電路以及各種消費類電子產品中廣泛使用，例如在手機、耳機等便攜式設備的音頻放大和信號處理電路里可以見到它的身影。設計時需要注意基極電阻的選擇以確保合適的偏置電流，避免因過大的基極電流導致器件損壞或性能下降。

BC857BLT1G 規(guī)格參數

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
100mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
45V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
650mV @ 5mA，100mA
電流 - 集電極截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
220 @ 2mA，5V
功率 - 最大
225mW
頻率 - 轉換
100MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝
SOT-23-3（TO-236）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
BC857BLT1GOSTR

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BCP53

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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