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BC847CWT1G

更新時間:2025-06-18 04:29:23

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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只做進口原裝現(xiàn)貨假一罰十

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可查官網(wǎng)https//www.icscjh.com/

深圳市科圳威電子有限公司
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深圳原裝現(xiàn)貨，可看貨可提供拍照

深圳市藍圖麥浪電子科技有限公
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只做原廠原裝假一罰十

深圳市鵬先達電子有限公司
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1460
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深圳市凱鑫躍電子有限公司
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深圳市芯巴巴科技有限公司
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昂富（深圳）電子科技有限公司
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深圳市佳蓓電子有限公司
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BC847CWT1G外觀圖

BC847CWT1G

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT-323

封裝:SC-70，SOT-323

BC847CWT1G 概述

BC847CWT1G是安森美半導體生產(chǎn)的一款NPN晶體管，采用SOT-23封裝，適合表面貼裝應用。該器件具有低噪聲特性，集電極-發(fā)射極擊穿電壓為45V，在IC=10mA時典型增益帶寬積可達100MHz，適用于需要高頻率響應的電路。常見于音頻放大、低噪聲前置放大器以及高速開關電路中。在實際應用中，建議根據(jù)具體電路需求選擇合適的基極電阻以控制電流，避免過驅(qū)動導致性能下降。對于高頻應用，需注意布線和元件布局，減少寄生電感和電容的影響，確保信號完整性。

BC847CWT1G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
100mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
45V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
600mV @ 5mA，100mA
電流 - 集電極截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
420 @ 2mA，5V
功率 - 最大
150mW
頻率 - 轉(zhuǎn)換
100MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SC-70，SOT-323
供應商設備封裝
SC-70-3（SOT323）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
BC847CWT1G-NDBC847CWT1GOSTR

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BC846AL
BAT46W

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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