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其他型號(hào)

當(dāng)高速 AndesCoreTM 遇上低速 Embedded Flash 的芯片效能提升方法（二）

電子愛好者博客

　　2.3波形圖說明

　　以下小節(jié)，為After Reset,Branch,Sequential三種狀況下的波形圖以及說明。

　�。ㄒ韵虏ㄐ鸵詒atio為2,TAPH（ALE high pulsewidth）5ns為例。）2.3.1 After Reset

　　波形圖說明：

　　波形圖說明：

　　繼AndesCoreTM發(fā)出預(yù)取Addr 0×0的指令請(qǐng)求后，發(fā)出預(yù)取Addr 0×2的指令請(qǐng)求。

　　2.3.2 Branch fetch

　　波形圖說明：

　　波形圖說明：

　　2.3.3 Sequent i a I fetch

　　波形圖說明：

　　3 I nstruct i on fetch效能改善

　　由于參考模塊以32字符寬度之閃存為設(shè)計(jì)對(duì)象，默認(rèn)AndesCoreTM工作頻率與閃存工作頻率為n:l（n≥2），指令擷取工作頻率受限閃存輸出頻率，故未能有明顯提升。

　　當(dāng)閃存擴(kuò)充帶寬為字符寬度，使閃存輸出及上AndesCoreTM指令消耗速度后，指令擷取工作頻率將會(huì)有明顯提升。

　　Andes已有客戶參考此設(shè)計(jì)，并加以修改，使之支持頻寬為64字符寬度之閃存。

　　以AndesCoreTM工作頻率與閃存工作頻率為2:1下，由原本預(yù)取一道指令平均需要兩cycle增進(jìn)為預(yù)取一道指令平均需要1.1cycle,指令擷取效能改善80%左右。

　　指令擷取效能改善可通過下列公式計(jì)算：

　　4結(jié)語

　　AndesCoreTM所提供的EILM接口相當(dāng)方便客戶與Flash或ROM整合，然而Flash或ROM目前最高速存取時(shí)間目前不能與AndesCoreTM所能實(shí)現(xiàn)的最高工作頻率相同。AndesCoreTM的執(zhí)行效能將受限于Flash或ROM目前最高速存取時(shí)間。預(yù)取模塊提供一預(yù)取的機(jī)制來增加AndesCoreTM與Flash或ROM整合時(shí)的執(zhí)行效能。文章中所提供的參考預(yù)取模塊，以數(shù)據(jù)寬度為32字符寬度的閃存為操作對(duì)象，提供一預(yù)取機(jī)制的設(shè)計(jì)參考。使用者可參考此設(shè)計(jì)概念，將數(shù)據(jù)寬度32字符寬度的閃存為操作對(duì)象改為數(shù)據(jù)寬度為64字符寬度的閃存，在增加此設(shè)計(jì)后，指令擷取效能將可得到符合使用者期待的效果。