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IR21367在無刷直流電機控制中的應用

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     在無刷直流電機的全橋式驅動電路中,逆變橋主電路有6 個功率開關器件(功率MOSFET或IGBT),若每個開關器件都用一個單獨的驅動電路來驅動,則需6個驅動電路,這樣至少要配備4個相互獨立的直流電源來為其供電,從而使系統(tǒng)的硬件結構變得復雜,可靠性下降。而IR2136系列是功率MOSFET和IGBT專用柵極驅動集成電路,其內部采用自舉技術,可使功率驅動電路僅需輸入一個直流電源。IR2136具有完善的保護功能,可提高系統(tǒng)的集成度和可靠性,并可大大縮小線路板的尺寸。IR21367集成電路的性能完全可以超過光耦合器或變壓器柵極驅動方式,它的死區(qū)時間可低至250ns,典型接通/關斷時間為250/180ns,可滿足高速無刷直流電機高頻工作驅動的要求。作者通過反復實驗,對IR21367的外圍電路關鍵元器件的選取提出了一些個人心得。

  1 IR21367的特點功能

  IR21367的主要特點如下:

  采用自舉浮動設計,工作電壓達到+600V;

  輸出電流能力為120mA/250mA (正向/反向);

  具有暫態(tài)負電壓耐受能力?沙惺芨哌_50V/ns的dv/dt;

  柵極驅動電源電壓為: 12~20V;

  可欠電壓保護閉鎖所有通道;

  過流保護功能可關閉全部六個輸出驅動;

  有三個獨立的半橋驅動;

  所有通道均可延時匹配;

  可防止交叉導通邏輯;

  與3.3V的COMS或LSTTL輸出邏輯兼容;

  采用較低di/dt的柵極驅動,有助于噪聲抑制;

  可通過外部設置自動清除故障。

  IR21367的引腳功能說明如表1所列。圖1所示是IR21367的內部結構圖。

表1 IR21367的引腳功能說明

IR21367的引腳功能說明

IR21367的內部結構圖

圖1 IR21367的內部結構圖

  2 IR21367應用電路設計

  當控制系統(tǒng)選用全橋式無刷直流電機驅動電路時,其導通方式為兩兩導通方式,即每一時刻電機有兩相導通,第三相懸空,各相導通順序與時間由霍爾位置傳感器獲得的轉子位置信號決定。全橋式逆變橋由6個功率MOSFET (IRF3710)組成,6路驅動信號由TMS320F2812的事件管理器EVA 產生,經過光耦6N137 隔離輸出到IR21367。本文選用的實驗是選用常州萬泰公司的42BLF02,該電機的磁極對數為4對,額定電壓為24V,額定轉速為4000RPM。調速方式采用PWM調壓調速,PWM的調制方式為PWM_ON,即上橋臂開關管進行PWM調制,下橋臂開關管保持恒通,初設PWM調制的開關頻率為20kHz。圖2所示是采用IR21367驅動的直流電機控制系統(tǒng)的應用電路。

基于IR21367的電機驅動控制電路圖

圖2 基于IR21367的電機驅動控制電路圖

  IR21367內部的三路驅動高側功率MOS器件的輸出驅動電源可通過自舉技術獲得,所以,自舉電容的反向耐壓必須大于驅動主電路的母線電壓。同時,為了防止自舉電容兩端電壓放電,二極管應選用高頻快速恢復二極管,自舉電容在開關頻率大于5kHz時,電容值要大于0.1μF,所以,此處C3選用50V耐壓、22μF的帶極性電容。型號為1N5819的肖特基二極管可以滿足要求。當低側MOS器件開通時,可把高側MOS器件的源極電壓拉到零,此時,電路經過二極管對電容充電,R4為限流電阻(取510歐)。C1為低側驅動電源的支撐電容,因為同時應為三個橋臂的低側端驅動電源提供能量,所以,C1的取值大點較好,此處取100μF的極性電容。

  由于IR21367的六個驅動輸出阻抗較低,直接應用它來驅動功率MOS器件時,功率器件的快速開通和關斷有可能造成MOS器件漏源極間的電壓震蕩,這樣一則會引起射頻干擾; 二則有可能造成功率器件遭受過高的du/dt而擊穿。因此,通常可在柵極串聯一個15~50Ω的無感電阻,此處柵極電阻R5、R6選取33Ω。

  IR21367的ITRIP為過流關斷信號輸入端。該引腳有效時,可關斷所有邏輯輸出,并使FAULT和RCIN變?yōu)橛行У碗娖健AULT為過流或欠壓故障輸出,該信號接發(fā)光二極管可進行故障報警。

  RCIN為清除FAULT信號端,當此引腳電壓升高到8V時,FAULT引腳恢復高電平,故此引腳可接RC阻容網絡,以設定FAULT的有效維持時間。過流信號輸入(ITRIP輸入端) 的閥值電壓最小值為3.85V、典型值4.30V、最大值4.75V,過流信號可由兩個功率采樣并聯電阻(可以減小電機端電壓的壓降損失) 上的電壓并經過運放OP07CP得到,運放除了實現放大采樣信號的作用外,還可使過流信號輸入端與主電路母線端達到一定的隔離。

  阻容網絡R1、C2分別取10kΩ和0.1μF,τ=10k×0.1μF=1ms; 運放電阻R9、R10可分別取51kΩ、3.3kΩ,采樣功率電阻R11、R12都取0.05kΩ/3W的金屬膜電阻,據此所得到的過流閥值為10.46A。C5用來濾除母線上的高頻干擾信號,設計時可選取1nF的獨石電容。

  將故障指示端FAULT信號經光耦6N137接入TMS320F2812芯片的驅動保護輸入引腳,可在電機驅動或逆變橋不正常時及時關斷輸入信號以保護IR21367器件。

  3 實驗結果分析

  在完成上述控制系統(tǒng)的硬件電路設計后,即可進行無刷直流電機的空載實驗,圖3所示是電機穩(wěn)定運行時的柵極驅動波形。

高側T1的柵極驅動波形

(a) 高側T1的柵極驅動波形

低側T2的柵極驅動波形

(b) 低側T2的柵極驅動波形

圖3 電機穩(wěn)定運行時的電機及驅動波形圖

  圖3中,由于高側MOS器件T1的柵極驅動電源是由自舉電容提供的,而只有低側MOS器件T2開通時,電源才經電阻R4和二極管1N5819向自舉電容C3充電,所以,在T2關斷期間,C3上的能量應該能保證維持T1的導通。兩兩導通的無刷直流電機的運行模式是在一個周期每個開關管導通120°電角度,同一橋臂的上下兩個開關管的開通時刻互差60°電角度而不存在死區(qū),因此,在T2導通的120°區(qū)間,C3上獲得的能量要能滿足T1導通120°。為了確保無刷直流電機在低速時的運行穩(wěn)定,C3取值的大小很關鍵,根據本系統(tǒng)要求,C3取22μF可滿足本設計的要求。

  從IR21367的內部結構可以看出,C1是三個低側MOS器件柵極驅動電源的儲能電容,因此,如果把它看做濾波電容而取值過小,就會出現驅動電壓達不到要求或者驅動波形缺失,這在實驗過程中,也得到了相同的結論。

  4 結束語

  IR21367是功率MOSFET和IGBT的專用驅動電路,隨著無刷直流電機運用的越來越廣泛,用其作為小功率無刷直流電機控制系統(tǒng)的MOSFET驅動電路,可以得到很好的驅動效果,從而滿足其高速運行的需求。另外,其完善的保護功能、高集成度和簡單結構,也會使整個系統(tǒng)的性能價格比大大提高。



  來源:ohyear
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