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DS1747||SRAM|| 的PDF資料 暫且沒有下載

DS1747||SRAM|| 的貨源和報(bào)價(jià) DS1747||SRAM|| 的相關(guān)技術(shù)信息

其他型號(hào)

DS1747—非易失性SRAM

     DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過(guò)如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對(duì)DS1747內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行訪問(wèn)。RTC信息和控制位占用RAM中最高的8個(gè)地址。RTC寄存器包含世紀(jì)、年、月、日、星期、小時(shí)、分和秒數(shù)據(jù)，采用24小時(shí)BCD格式。器件可自動(dòng)對(duì)每個(gè)月份及閏年進(jìn)行日期校正。RTC時(shí)鐘寄存器采用雙緩沖，可避免在時(shí)鐘更新周期內(nèi)訪問(wèn)不正確的數(shù)據(jù)。雙緩沖系統(tǒng)還可以防止訪問(wèn)時(shí)間寄存器時(shí)導(dǎo)致倒數(shù)計(jì)時(shí)無(wú)法減少而引起的時(shí)間丟失。DS1747還包含電源失效電路，用于當(dāng)VCC電源超出容差時(shí)，禁止選通器件。由于低VCC引起不可預(yù)測(cè)的系統(tǒng)操作，該特性可以避免這種情況下的數(shù)據(jù)丟失，從而避免錯(cuò)誤的訪問(wèn)和更新。

　　關(guān)鍵特性

　　集成的NV SRAM、實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)、晶體、電源失效控制電路和鋰電池

　　訪問(wèn)時(shí)鐘寄存器方式與靜態(tài)RAM完全相同，這些寄存器位于RAM中最高的8個(gè)地址

　　世紀(jì)字節(jié)寄存器;Y2K兼容

　　完全的非易失性，可在缺少電源的條件下工作10年以上

　　BCD編碼的世紀(jì)、年、月、日、星期、小時(shí)、分和秒數(shù)據(jù)，可自動(dòng)進(jìn)行閏年補(bǔ)償至2100年

　　電池電壓指示標(biāo)志

　　電源失效寫保護(hù)，允許±10%的VCC電源容差

　　鋰電池處于開路的保鮮模式，直至首次電源加電

　　僅對(duì)于DIP模塊：

　　標(biāo)準(zhǔn)的JEDEC字節(jié)寬度512k x 8靜態(tài)RAM引腳排列

　　僅對(duì)于PowerCap模板：

　　可表貼的封裝直接與包含電池和晶體的PowerCap連接

　　可替換的電池(PowerCap)

　　上電復(fù)位輸出

　　引腳兼容于其他密度的DS174xP時(shí)間保持RAM

　　可提供工作在工業(yè)級(jí)溫度范圍(-40°C至+85°C)的芯片