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FSCQ1265RT 的貨源和報(bào)價(jià) FSCQ1265RT 的相關(guān)技術(shù)信息

其他型號(hào)

電源控制芯片F(xiàn)SCQ1265RT及其應(yīng)用

　　普通CRT彩電所用的開關(guān)電源大都屬于反激式開關(guān)電源。反激式開關(guān)電源的最重要的特征體現(xiàn)在變壓器的繞制和有關(guān)開關(guān)器件的連接方法上，即變壓器的原邊和副邊不可能同時(shí)導(dǎo)通。FSCQ1265RT就是反激式開關(guān)電源。

　　FSCQ1265RT簡介

　　FSCQ1265RT采用準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換（QRC）方式，內(nèi)置高壓（VDSS=650V）SenseFET，PWM控制器和軟起動(dòng)電路，具有過載、過壓、短路、過溫、欠壓保護(hù)功能。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖1所示，管腳定義則見表1。

　　參數(shù)定義及電路描述

　　1 整機(jī)參數(shù)定義

　　FSCQ1265RT適用于大屏幕CRT彩電，寬電源交流輸入電壓為85～265Vrms，最大輸出功率P0=140W，最大峰值電流IP-P=7A；效率為80%～83%；對于上述輸出功率，整流后選用330～470μF/ 400V的電容。

　　2 MOSFET工作電壓VDS及共振電路        

　　電壓為VDSnom=VDCmax+VRO。開關(guān)MOSFET的耐壓被用來決定反激電壓VRO的值，在其不變的前提下，反激電壓設(shè)置得越高越好。需要說的是，反激電壓是由開關(guān)變壓器的原、副邊匝數(shù)比和輸出電壓來決定的，它是一個(gè)不隨輸入電壓變化的量。

　　例如，該開關(guān)MOSFET的耐壓為650V，則VDSnom電壓不要超過開關(guān)MOSFET耐壓的75%～85%。選擇VRO=125V，則在VLinemax=265VAC時(shí)，VDSnom=500V，留150V的余量給漏感電壓。在應(yīng)用中可視電路情況增加消尖峰吸收電路。

　　在MOSFET關(guān)斷時(shí)，VDS的上升沿是產(chǎn)生開關(guān)電源噪聲的主要原因。可在MOSFET的漏-源極之間并聯(lián)一個(gè)共振電容來降低VDS的上升斜率，以期降低噪聲。此共振電容的增加也降低了MOSFET 在關(guān)斷時(shí)發(fā)生的開關(guān)損耗。因此，漏-源極間的共振電容在MOSFET的關(guān)斷時(shí)起了降低噪聲和開關(guān)損耗兩個(gè)作用。

　　在MOSFET的關(guān)斷期間，共振電容會(huì)被充電至VDC+VRO。而在MOSFET導(dǎo)通之前，共振電容將和變壓器的原邊電感發(fā)生共振，VDS將從起始的電壓VDC+VRO，經(jīng)半個(gè)共振周期后降為VDC-VRO。準(zhǔn)諧振電源利用控制器控制MOSFET在VDS的點(diǎn)導(dǎo)通，此時(shí)的導(dǎo)通損耗達(dá)到最小。共振電容的選擇非常重要，不合適的共振電容在MOSFET導(dǎo)通時(shí)的放電將導(dǎo)致很大的MOSFET導(dǎo)通損耗，使散熱器溫度急劇增高。

　　3 起動(dòng)電阻和輔助電源Vcc

　　開機(jī)啟動(dòng)電阻在開機(jī)瞬間提供給控制電路電源電壓，保證控制電路能正常工作。當(dāng)Vcc腳電壓升到15V時(shí)，電源芯片F(xiàn)SCQ1265的內(nèi)部控制電路開始工作，芯片內(nèi)的MOSFET開始了正常的導(dǎo)通和截止。

　　在正常負(fù)載時(shí)，Vcc的工作電壓設(shè)定為18V。當(dāng)Vcc腳的電壓降低至9V時(shí)，芯片內(nèi)部電路和MOSFET停止工作。

　　4 同步電路

　　同步電壓Vsync取自變壓器輔組繞組，它和漏極電壓對應(yīng)關(guān)系如圖3所示。其中，同步電壓Vsyncpk典型值設(shè)置為8～10V，它要小于OVP（12V）電壓3～4V，超過12V就會(huì)產(chǎn)生過壓保護(hù)。

　　FSCQ1265RT采用準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換工作方式，電源的頻率是隨著輸入電壓和負(fù)載的變化而改變的。負(fù)載變輕時(shí)，開關(guān)頻率升高。當(dāng)升到90kHz時(shí)，控制電路會(huì)使MOSFET在第二個(gè)同步谷點(diǎn)導(dǎo)通（見圖4），這樣會(huì)使振蕩頻率又降了下來，限制電源在輕負(fù)載時(shí)振蕩頻率的上升。在負(fù)載加重時(shí)，開關(guān)頻率降低，當(dāng)降低到45kHz時(shí)間，進(jìn)入準(zhǔn)諧振工作狀態(tài)，MOSFET在第一個(gè)谷點(diǎn)(VDC-VRO)導(dǎo)通。

　　5 反饋控制電路

　　FSCQ1265RT采用電流方式控制，反饋電路保證B+穩(wěn)定輸出。其內(nèi)置前沿消隱電路(LEB)，防止PWM控制器誤工作。

　　正常工作時(shí)，當(dāng)由于某種原因造成B＋電壓升高后，通過電阻分壓到R極的電壓也升高。R極電壓的升高引起C極電流的增大，即光耦次級(jí)（1、2腳）電流增大。這樣，誤差取樣放大電路將B＋電壓的變化轉(zhuǎn)變?yōu)楣怦铍娏鞯淖兓�。因此，光耦初�?jí)（3、4腳）的電流增大，電源芯片F(xiàn)B腳電壓降低。芯片內(nèi)部與之對應(yīng)的比較器上的電壓降低，比較器另一個(gè)腳接到MOSFET的另一個(gè)源極取樣電阻Rsense上。因此，當(dāng)FB腳電壓降低即意味著開關(guān)管漏極電流的降低，即開關(guān)管提前截止，從而使得B＋電壓降低，反之亦然。

　　開關(guān)變壓器設(shè)計(jì)參數(shù)

　　FSCQ1265RT主要用于CRT彩電的開關(guān)變壓器中，現(xiàn)將應(yīng)用

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