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Micron推出下一代RealSSD P200/C200固態(tài)驅(qū)動(dòng)器

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  美光(Micron)面向企業(yè)級(jí)計(jì)算和筆記本應(yīng)用推出下一代RealSSD固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)。針對(duì)其應(yīng)用對(duì)象,新款驅(qū)動(dòng)器(包括企業(yè)級(jí)的RealSSD P200產(chǎn)品和以客戶為中心的RealSSD C200產(chǎn)品)在容量、功率和性能方面都會(huì)有顯著的改善。

  美光公司內(nèi)存系統(tǒng)開(kāi)發(fā)事務(wù)副總裁Dean Klein說(shuō):“在曾經(jīng)盛行采用硬盤驅(qū)動(dòng)器的各類應(yīng)用中,固態(tài)驅(qū)動(dòng)器開(kāi)始占取一席之地。照許多人來(lái)看,最合理的應(yīng)用場(chǎng)合應(yīng)該是筆記本電腦,但其實(shí)固態(tài)驅(qū)動(dòng)器在企業(yè)級(jí)服務(wù)器系統(tǒng)中也有令人難以置信的重要價(jià)值。”

  如今,數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)的數(shù)字信息以指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),在這種情況下,服務(wù)器系統(tǒng)OEM廠商正在尋求新的技術(shù)以提高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的性能。過(guò)去,要提高系統(tǒng)性能,常常需要調(diào)整處理器、主內(nèi)存和存儲(chǔ)技術(shù),這些辦法都以提高系統(tǒng)的功耗為代價(jià)。存儲(chǔ)工程師為了提高系統(tǒng)性能,會(huì)以冗余獨(dú)立磁盤陣列(RAID)的形式部署更多硬盤驅(qū)動(dòng)器,而這種配置對(duì)容量和性能的貢獻(xiàn)微乎其微,卻要消耗更高的功率,這樣一來(lái),功耗和成本的大幅提高成了工程師們不得不去面對(duì)的問(wèn)題。

RealSSD P200

  認(rèn)識(shí)到這些存儲(chǔ)應(yīng)用的復(fù)雜需求,美光公司設(shè)計(jì)了新的固態(tài)驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品,這些產(chǎn)品使得企業(yè)級(jí)應(yīng)用可以提供必要的帶寬和性能,并減輕數(shù)據(jù)中心功耗預(yù)算的壓力。美光RealSSD P200產(chǎn)品提供16GB到128GB的不同存儲(chǔ)密度,采用標(biāo)準(zhǔn)的2.5英寸外形尺寸。P200產(chǎn)品采用美光的高性能“單層單元”(SLC)NAND技術(shù),能通過(guò)3Gb/s SATA串行接口實(shí)現(xiàn)最快的讀寫速度,最高可達(dá)每秒250M字節(jié)。美光的企業(yè)級(jí)RealSSD P200產(chǎn)品的三個(gè)關(guān)鍵特色優(yōu)勢(shì)在于:

  性能:與典型的企業(yè)級(jí)硬盤驅(qū)動(dòng)器相比,P200存取事務(wù)數(shù)據(jù)的速度要快10倍以上。該產(chǎn)品將延遲控制在毫秒級(jí)以下水平,而典型的企業(yè)級(jí)硬盤驅(qū)動(dòng)器的平均延遲約為8毫秒,因此,P200產(chǎn)品大幅縮短了傳統(tǒng)硬盤驅(qū)動(dòng)器必需的尋道時(shí)間。

  功率:P200消耗的功率約為數(shù)據(jù)中心一塊典型的硬盤驅(qū)動(dòng)器功耗的十分之一,工作狀態(tài)下的功率為2.5瓦,空閑狀態(tài)下為0.3瓦。與之相比,數(shù)據(jù)中心使用的硬盤驅(qū)動(dòng)器的功率通常在8瓦至28瓦之間。另外,由于P200功率低,溫度范圍寬(P200可在攝氏零度到70度之間工作,而硬盤驅(qū)動(dòng)器只能在5攝氏度到55攝氏度范圍內(nèi)工作),該產(chǎn)品基本上不需要散熱冷卻,這也有助于降低功耗。

  可靠性:P200是滿足任務(wù)關(guān)鍵型(mission-critical)企業(yè)級(jí)應(yīng)用在可靠性方面的苛刻要求的理想之選。P200在其高性能單層單元(SLC)寫入周期內(nèi)能提供更完善的“損耗均衡”(wear-leveling)功能,平均故障間隔時(shí)間(MTBF)約為200萬(wàn)小時(shí),而硬盤驅(qū)動(dòng)器則為300,000到500,000小時(shí),因此,P200能顯著減輕用戶對(duì)發(fā)生機(jī)械故障的擔(dān)憂。

RealSSD C200

  RealSSD C200驅(qū)動(dòng)器采用美光的多層單元(MLC)NAND工藝技術(shù)設(shè)計(jì),將提供2.5英寸和1.8英寸兩種尺寸規(guī)格。2.5英寸規(guī)格的C200產(chǎn)品的存儲(chǔ)密度最高可達(dá)256GB。1.8英寸規(guī)格的C200產(chǎn)品尺寸較小,存儲(chǔ)密度在32GB到128GB之間,功率和性能水平毫不遜色。C200產(chǎn)品使用3 Gb/s SATA接口,讀取速度最高可達(dá)250MB/s,寫入速度最高可達(dá)100MB/s。C200讀寫速度的提高,讓消費(fèi)者能夠獲得全面的計(jì)算體驗(yàn),能幫助尺寸更小的筆記本設(shè)計(jì)方案優(yōu)化系統(tǒng)啟動(dòng)和應(yīng)用程序加載時(shí)間、降低功耗。

  Klein接著說(shuō):“C200產(chǎn)品是我們以中等價(jià)格推出的性能解決方案,該解決方案采用MLC NAND技術(shù)和高度優(yōu)化的NAND管理算法,是專為筆記本應(yīng)用而設(shè)計(jì)的。”



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