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其他型號(hào)

ML4425過電流保護(hù)電路

　　ML4425通過內(nèi)設(shè)的PWM電流比較器來控制過電流保護(hù)，其原理電路如圖1所示。外接逆變橋經(jīng)一電阻R_SENSE接地，作電流采樣，輸人給比較器的負(fù)端I_SENSE。比較器的正端相當(dāng)于接有460mV的基準(zhǔn)電壓，作為電流限制基準(zhǔn)。

　　時(shí)，比較器即翻轉(zhuǎn)，P_WM關(guān)閉，此基準(zhǔn)電壓也可以通過外接電路而改變。ML4425過電流保護(hù)工作原理如下：在C_IOS產(chǎn)生的鋸齒波上升沿時(shí)間內(nèi)，若電流過大，P_WM比較器將輸出低電平，使RS觸發(fā)器重置，將PWM信號(hào)關(guān)閉；在C_IOS產(chǎn)生的鋸齒波下降時(shí)間，RS觸發(fā)器將重新復(fù)位，使驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出，利用這樣的逐次比較，實(shí)現(xiàn)了限流。因此，通過改變C_IOS的大小，可以設(shè)定P_WM關(guān)斷時(shí)間T_OFF，它們的關(guān)系為C_OS=T_OFF×50μA/2.4V。對(duì)于25kHz的PWM頻率，TOFF=20～40μs，因此C_OS可寫為C_OS=（20～40）μS×50μA/2.4V。

　　圖1    ML4425過電流保護(hù)原理電路

　　若允許的最大電流為I_max,則I_max＝0.46/R_SENSE（單位為A）。

　　為了避免由換相尖峰脈沖引起電流檢測誤操作，在R_SENSE和I_SENSE之間應(yīng)接RC低通濾波器，以除去MOSFET中二極管的反向擊穿電流。圖2所示即為檢測電阻電壓在濾波前后的變化，一般推薦R=1kΩ，C=330pF。

　　圖2  檢測電阻電壓在濾波前后的變化

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