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TLC5540 |
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高速A/D轉(zhuǎn)換器TLC5540及其應(yīng)用
1 概述
TLC5540是美國(guó)德州儀器公司推出的高速8位A/D轉(zhuǎn)換器。它的最高轉(zhuǎn)換速率可達(dá)每秒40兆字節(jié)。TLC5540采用了一種改進(jìn)的半閃結(jié)構(gòu)及CMOS工藝,因而大大減少了器件中比較器的數(shù)量,而且在高速轉(zhuǎn)換的同時(shí)能夠保持低功耗。在推薦工作條件下,其功耗僅為75mW。由于TLC5540具有高達(dá)75MHz的模擬輸入帶寬以及內(nèi)置的采樣保持電路,因此非常適合在欠采樣的情況下應(yīng)用。另外,TLC5540內(nèi)部還配備有標(biāo)準(zhǔn)的分壓電阻,可以從+5V的電源獲得2V滿刻度的參考電壓,并且可保證溫度的穩(wěn)定性。 TLC5540可廣泛應(yīng)用于數(shù)字電視、醫(yī)學(xué)圖象、視頻會(huì)議、CCD掃描儀、高速數(shù)據(jù)變換及QAM調(diào)制器等應(yīng)用方面。
2 引腳功能
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AGND(20,21):模擬信號(hào)地線;
ANALOG IN(19):模擬信號(hào)輸入端;
CLK(12):時(shí)鐘輸入端;
DGND(2,24):數(shù)字信號(hào)地線;
D1~D8(3~10):數(shù)據(jù)輸出端。D1為低位,D8為高位;
OE(1):輸出使能端。當(dāng)OE為低時(shí),D1~D8數(shù)據(jù)有效,當(dāng)OE為高時(shí),D1~D8為高阻抗;
VDDA(14,15,18):模擬電路工作電源;
VDDD(11,13):數(shù)字電路工作電源;
REFTS(16):參考電壓引出端之一;
REFT(17):參考電壓引出端之二;
REFB(23):參考電壓引出端之三;
REFBS(22):參考電壓引出端之四。
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TLC5540的內(nèi)部結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖2所示。它包含有時(shí)鐘發(fā)生器,內(nèi)部參考電壓分壓器,1套高4位采樣比較器、編碼器、鎖存器,2套低4位采樣比較器、編碼器和一個(gè)低4位鎖存器。
TLC5540 的外部時(shí)鐘信號(hào)CLK通過(guò)其內(nèi)部的時(shí)鐘發(fā)生器產(chǎn)生3路內(nèi)部時(shí)鐘,用于驅(qū)動(dòng)3組斬波穩(wěn)零結(jié)構(gòu)的采樣比較器。參考電壓分壓器則為這3組比較器提供參考電壓。其中低位比較器的參考電壓是高位比較器的1/16。采用輸出信號(hào)的高4位由高4位編碼器直接提供,低4位的采樣數(shù)據(jù)則由兩個(gè)低4位的編碼器交替提供。其中低 4位比較器是對(duì)輸入信號(hào)的“殘余”部分進(jìn)行變換的(時(shí)間為高4位的兩倍),因此與標(biāo)準(zhǔn)的半閃結(jié)構(gòu)相比,這種變換方式可減少30%的采樣比較器,并且具有的采樣率。
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如果要簡(jiǎn)化電路,可利用TLC5540的內(nèi)部分壓電阻從模擬電源電壓VDDA取得參考電壓。內(nèi)部電壓R1、Rref和R2的標(biāo)稱值分別為320Ω、270Ω和80Ω。圖4(a)的配置適用于模擬輸入電壓范圍+0.61V~+2.6V的情況,圖4(b)的輸入電壓范圍為0~+2.28V。由于R1的下端連接外部濾波電容,故R1也兼作濾波電阻。若將圖4(b)中的R1短接,則輸入電壓范圍0~+5V。
5 應(yīng)用
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由于采樣狀態(tài)下的時(shí)鐘頻率可能高達(dá)40MHz,故存貯器U6、地址計(jì)數(shù)器U5以及其它部件均應(yīng)具有相應(yīng)的速度和盡可能小的信號(hào)延遲,以使各部件的協(xié)同工作滿足TLC5540及存貯器的時(shí)序要求。該電路采用標(biāo)準(zhǔn)引腳的RAM芯片,還可采用雙端口RAM或FIFO存貯器,它們均有較高的運(yùn)行速度,并可簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
6 小結(jié)
由于TLC5540采用了改進(jìn)的半閃結(jié)構(gòu),因而具有高速率、低功耗和低價(jià)格的特點(diǎn)?蓱(yīng)用在數(shù)字電視、醫(yī)學(xué)圖像、視頻會(huì)議、CCD掃描儀、高速數(shù)據(jù)變換及QAN調(diào)制等應(yīng)用方面。
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