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產(chǎn)品型號(hào):NTB30N06
源漏極間雪崩電壓VBR(V):60
源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):38
最大漏極電流Id(on)(A):30
通道極性:－
封裝/溫度(℃):D2PAK/-55~175
描述:30A,60V邏輯電平的功率MOSFET
價(jià)格/1片(套):￥5.40


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