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ST首款90納米512M NOR閃存出爐 讀取速率達(dá)133MHz

　　意法半導(dǎo)體(ST)日前推出最新一代手機(jī)專用NOR閃存子系統(tǒng)。新的多片子系統(tǒng)在一個封裝內(nèi)整合了ST新開發(fā)的256Mbit和512Mbit的單片NOR閃存芯片，以及PSRAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)或LPSDRAM(小功率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)。最新NOR閃存子系統(tǒng)專為第三代手機(jī)應(yīng)用設(shè)計，采用90nm工藝，代碼執(zhí)行速度快，價格低廉。

　　新的閃存子系統(tǒng)采用多片封裝(MCP)技術(shù)，含有多種芯片組合，包括：512Mbit閃存+64Mbit PSRAM(M36P0R9060);512Mbit閃存+128Mbit PSRAM(M36P0R9070);512Mbit閃存+128Mbit LPSDRAM(M39P0R9070)。此外，還有容量達(dá)1Gbit的三片疊裝和基于ST最新開發(fā)的256MbitNOR閃存的多片封裝產(chǎn)品。

　　ST稱，新的NOR閃存將存儲性能提升到了一個新的水平，讀取速率達(dá)到133MHz，比市場現(xiàn)有產(chǎn)品快2倍。此外，編程速率達(dá)0.5Mbps，比現(xiàn)有NOR閃存解決方案提高2倍。ST存儲器產(chǎn)品部副總裁Marco Dallabora說：“我們新的NOR閃存芯片能夠提高先進(jìn)手機(jī)平臺的代碼執(zhí)行速度，其0.5Mbps編程速率以及低功耗還支持手機(jī)上的高分辨率相機(jī)。” 

　　針對第三代多媒體手機(jī)的高容量、小尺寸、低功耗和高靈活性等特點，ST最新NOR閃存采用90nm光刻技術(shù)的同時，運(yùn)用了經(jīng)過驗證的存儲技術(shù)，例如，多電平單元(MLC)閃存和多區(qū)塊體系結(jié)構(gòu)。

　　在封裝方面，NOR閃存新品采用了一個單片小封裝內(nèi)集成不同類型存儲器的整合方法，節(jié)省了電路板空間，提高了制造商產(chǎn)品可靠性。此外，ST認(rèn)為，在小容量封裝內(nèi)組裝超大容量的存儲器是即將到來的第三代應(yīng)用處理多媒體內(nèi)容和快速連接互聯(lián)網(wǎng)的基本要求。 

　　新產(chǎn)品系列所包含的存儲器組合現(xiàn)已上市銷售，采用BGA封裝。其中，NOR閃存+PSRAM，采用8mm×11mm(ZAC)LFBGA107封裝；NOR閃存+LPSDRAM，采用9mm×11mm(ZAD)xFBGA105封裝。批量采購價如下：M36P0R9060單價12美元，M36P0R9070單價14美元，M39P0R9070單價13美元(以上價格僅供參考)。