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TPS51116

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TPS51116:高效率功率管理器件

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  TI公司推出新的高效率功率管理器件TPS5116,它組合了DC/DC開關(guān)模式控制器和線性低壓降(LDO)調(diào)整器,以增加功率性能.這種高度集成的器件大大地降低了所有DDR系統(tǒng)如Micron的DDR和DDR II系統(tǒng)的功率管理外接元件.

  TI的新的TPS51116集成了用來向Vddq加電的同步電流模式DC/DC控制器和用來向Vtt加電的3A LDO調(diào)整器以及一個緩沖基準電源Vref.完全和DDR和DDR II JEDEC標準兼容,完整的DDR電源解決方案由用于開關(guān)的電源和增加幾個外接電阻和電容組成,作為比較,當今的系統(tǒng)則需要18個或更多的分立的功率管理元件.TPS51116有極好的輕負載效率,在10mA時Vddq的效率大于85%.高性能的LDO能提供峰值3A的電流源/沉,僅需要2x10uF的陶瓷輸出電容.

  TPS51116內(nèi)的開關(guān)采用稱之為D-CAP模式的技術(shù),負載突變的瞬態(tài)響應時間100ns,大大地降低了外接輸出電容的數(shù)量.D-CAP模式還省去了外接回路補償.集成的LDO需要2x10uF陶瓷輸出電容,由于降低了輸入電壓而大大地降低了系統(tǒng)中的功率損耗.能支持許多種設(shè)計類型,Vddq電壓可以是可調(diào)的或固定在DDR的2.5V或DDR II的1.8V.

TPS51116的主要特性如下:

輸入電壓從3V到28V,
有100ns負載突變響應的D-CAP模式,
Vtt和Vref的精確度+/-20mV,
睡眠模式操作,用于輸出放電時可選擇關(guān)閉軟起動,
Vtt僅需要2x10uF的陶瓷輸出電容,
有熱關(guān)斷,功率良好,過壓保護和欠壓保護,
和DDR和DDR II JEDEC標語兼容.

  除了高速集成的TPS51116,TI還推出10引腳MSOP封裝的3A電流源/沉的調(diào)整器,特別用于低成本的空間受到限制的DDR和DDR II系統(tǒng).TPS51100的特性和TPS51116有許多相同之處,包括2x10uF陶瓷輸出電容和遙控傳感功能.

TPS51116現(xiàn)已批量生產(chǎn).器件是20引腳PowerPAD HTSSOP封裝.1K量的單價為$1.20.1K量的TPS51100的單價為$0.80.

  來源:小草
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