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ISSI推出首顆128M中低密度DDR DRAM

　　Integrated Silicon Solution公司(ISSI)日前宣布推出其首顆128Mb的DDR DRAM芯片IS43R32400A。該芯片工作電壓為2.5V，采用4M×32構成機制，刷新率為8K，傳輸速率為1.6Gbps。其應用包括各種需求量大的領域，如網絡和通信設備、HDTV、LCD TV、機頂盒、硬盤驅動、汽車和其它消費電子應用等。
　　IS43R32400A采用144引腳FBGA封裝，工作溫度為0℃～70℃，購買一萬片以上單價是每片4.5美元。現(xiàn)在可以提供樣品。　

來源:小草

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