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28F016S5 |
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閃存28F016S5及其在DSP仿真環(huán)境下的編程
1.1 特點
28F016S5是Intel公司最近推出的2MB閃爍存儲器,它具有以下特點;
●采用靈巧電壓技術,5V Vcc和5V Vpp;
●85ns的讀取速度;
●增強的數據保護特性。當Vpp=GND時,完全保護;還可以進行靈活的塊保護,電源變動過程中停止塊寫入;
●增強的自動延時選項。編程時延時讀;塊擦除時編程延時和讀延時;
●具有高密度64kB對稱擦除塊結構,16Mbit 32塊;
●高循環(huán)使用能力,可擦除10萬次;
●低電源管理,完全休眠模式;自動節(jié)電模式,在靜態(tài)模式中降低Icc。
●自動編程和塊擦除,提供命令接口和狀態(tài)寄存器;
●具有與SRAM兼容的寫入接口;
●采用了ETOXTMV非易失性閃存技術。
1.2 引腳排列和功能
28F016S5有40腳TSOP和44腳PSOP兩種封裝形式。
引腳功能分別說明如下:
A0~A20:21根地址線,輸入信號,尋址范圍2M;
DQ0~DQ7:8根雙向輸入/輸出數據線,同時存取一個字節(jié);
CE:片選信號,輸入,低電平有效;
RP:復位/休眠信號,輸入,低電平時處于休眠狀態(tài);
OE:輸出使能信號,輸入,低電平有效;
WE:寫有效信號,輸入,低電平有效;
RY/BY:準備好/忙信號,輸出“1”為準備好,“0”為忙;
Vpp:編程電壓,5V或12V;
Vcc:工作電壓,5V;
GND:數字地。
1.3 讀和寫*作時序圖
依據時序圖,在讀閃存數據時,可將CE信號同OE信號相連,接系統地址譯碼輸出線;WE與系統讀/寫控制線相連;RP接高電平;Vpp接地;地址線、數據線分別與系統的地址線、數據線相連。當對閃存進行寫入時,可將CE信號同系統地址譯碼輸出線相連;WE與系統讀/寫控制線相連;RP接高電平;Vpp接Vcc;RY/BY接系統的某一輸入口,系統通過此信號口檢測閃存的內部狀態(tài),以匹配系統處理器與閃存的時序;OE接系統的某一輸出口,當對閃存進行寫*作時,系統輸出高電平。
28F016S5閃存內部提供了一個用戶命令接口(CUI),這是系統處理器與閃存內部*作的接口。同時,它還有內部寫狀態(tài)機(WSM),能夠識別系統處理器命令實現塊擦除、寫入等*作。另外,還提供了狀態(tài)寄存器,用于標識各種*作的結果。
2. 對28F016S5編程的硬件連接
一般地,對閃存的編程是通過通用編程器來實現的。作者在日前開發(fā)的TMS320C32 DSP圖像處理板上,使用了一片閃存28F016S5用于存儲圖像處理程序,利用該板及仿真軟件直接對28F016S5編程,獲得了成功。這不僅節(jié)省了購買通用編程及接插件的費用,還減少了對用戶程序進行格式轉換的麻煩,節(jié)省了系統開發(fā)的時間。在28F016S5 DSP仿真環(huán)境下直接對28F016S5進行編程的系統硬件原理圖如圖3所示。
仿真器一端通過仿真信號線與圖像處理板上的TMS320C32 DSP芯片相接,另一端通過接口板與PC機相接;地址譯碼電路由PLD實現;圖像處理板上擴充的32位RAM是由4片8位的RAM芯片組成,其中RAM0的數據線接DSP的D0~D7;OE接DSP的STRB0_B0;RAM1的數據線接DSP的D8~D15;OE接DSP的STRB0_B1;RAM2的數據線接DSP的D16~D23,OE接DSP的STRB0_B2;RAM3的數據線接DSP的D24~D31;OE接DSP的STRB0_B3;RAM0RAM3上的地址直接與DSP的地址線相接,寫信號WE與DSP的R/W信號相接;片選信號CE與地址譯碼電路某輸出線相接。本圖像處理板上擴充的32位RAM的地址為:100000H~17FFFFH。
閃存28F016S5的地址線A0~A20直接與DSP相應的地址線相接,數據線D0~D7直接與DSP的D0~D7相接,寫信號WE接DSP的R/W信號。RP、Vpp兩信號直接與電源Vcc相接,片選信號CE接地址譯碼電路某一輸出線,在本圖像處理板上閃存28F016S5的地址范圍為:900000H~AFFFFFH。RY/BY與DSP的XF0相接(XF0應設置為輸入口),輸出使能信號OE與DSP的XF1相接(XF1應設置為輸出口)。
3. 在DSP仿真環(huán)境下對28F016S5的軟件編程
對閃存28F016S5編程的基本思想是:將用戶程序(如圖像處理程序)編譯鏈接生成OUT目標文件后,在DSP仿真環(huán)境下,裝載到本圖像處理板上的RAM中的某區(qū)域,如起始地址為100000H的區(qū)域;然后將寫入控制程序裝載到RAM的另一個區(qū)域,如起始地址為170000H的區(qū)域,應保證兩個程序沒有重疊(只需在這兩個程序的鏈接命令文件中定義好裝載起始地址即可)。最后運行該寫入控制程序,從RAM中100000H單元開始,逐字地將用戶程序寫入閃存28F016S5中。
需要說明的是,在對閃存28F016S5寫入之前,應對其原有內容進行擦除,擦除是以塊為單位進行的,64kB為一塊,2MB共32塊。只需對某塊中某任意單元先后寫入20H和D0H兩數即可將該塊擦除。另外,對閃存28F016S5中任一單元寫入數據,均應先寫入10H或40H。尤其應該注意的是DSP與閃存28F016S5的時序匹配問題,因此,在對閃存28F016S5任一單元寫入前,都必須先判斷RY/BY的狀態(tài),當它為高電平時,表示閃存28F016S5已準備好,可以向它寫入數據,低電平時則不能寫入。從RAM單元中取出的數據為32位,而閃存28F016S5的數據寬度為8位,其數據線與DSP低8位數據線相連,因此,從RAM中取出的每一個數據需要通過移位的辦法向閃存28F016S5寫4次。
對閃存28F016S5編程進行控制的程序并不復雜,源程序如下:
·DATA ;定義數據段
OFFSET·WORD 10000H ;擦除時,地址的增量為64k(每塊為64k)
ADDR_S ·WORD 100000H ;用戶程序存放的起始地址
ADDR_F ·WORD 900000H ;閃存28F016S5的起始地址
LENGTH· WORD 20H ;用戶程序長度-1,這里假定為20H
·TEXT ;定義代碼段
LDI 20H,IOF ;設置XF0為輸入口,XF1為輸出口
;對閃存28F016S5原有內容進行擦除
LDI @ADDR_F,AR0 ;閃存28F016S5起始地址賦給AR0
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