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NXP新款BFU725F微波NPN晶體管采用SiGeC工藝

　　為解決當今設備的性能需求和生產(chǎn)商考慮的成本問題，BFU725F晶體管在開發(fā)時使用了恩智浦用于分立器件的硅鍺碳(SiGeC)工藝技術，該工藝還用于開發(fā)單片IC和寬帶晶體管。

　　CalAmp公司工程衛(wèi)星產(chǎn)品總監(jiān)Bruce Bruchan先生表示，“我們選擇了恩智浦的SiGeC BiCMOS技術，因為最終結果表明極具成本效益的硅基分立器件既能提供杰出的功率增益，又具備優(yōu)良的動態(tài)范圍。恩智浦不斷開發(fā)利用SiGeC BiCMOS技術制造的產(chǎn)品，并通過持續(xù)創(chuàng)新應對快速變化的微波和無線市場日益增長的市場需求，展示了該公司對客戶的承諾。”

　　除已經(jīng)上市的解決方案外，包括TFF1004HN（用于衛(wèi)星低噪音電路塊的高度集成IC）和BFU725F微波晶體管，恩智浦正在開發(fā)其他幾種硅基寬帶晶體管和MMIC（單片微波IC），預計將于今年年底和2008年年初面世。

　　恩智浦創(chuàng)新經(jīng)理Bart Smolders教授表示，“QUBiC4X旨在滿足實際高頻應用，巧妙結合了超高的功率增益和優(yōu)良的動態(tài)范圍。我們的主張是要創(chuàng)造一種采用硅基工藝且具砷化鎵（GaAs）性能的技術，這樣我們就可以提供具有成本效益的集成高頻解決方案�！�

　　BFU725F符合RoHs標準，可達到極低的噪音（1.8GHz時0.43dB / 5.8GHz時0.7dB）和很高的最大穩(wěn)定增益（1.8GHz時27dB / 18GHz時10dB）。獨有特點包括高達fT 70 GHz的開關頻率并封裝在SOT343F塑料表面貼裝封裝包中。

　　恩智浦的BFU725F微波晶體管現(xiàn)已大批量上市。