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其他型號

NXP高效能超低噪聲的微波晶體管BFU725F

    NXP推出高效能超低噪聲的微波晶體管，高頻應(yīng)用(20GHz以下)的NPN微波晶體管BFU725F 可提供極佳的高切換頻率、高增益和低噪聲等組合性能。藉由其超低的噪聲系數(shù)，非常適用于敏感度高的 RF module 及 High performance mobile phones；此外，其高切換頻率的特色可用作 10GHz～30GHz 之微波應(yīng)用如衛(wèi)星電視接收器及汽車防撞雷達(dá)的解決方案。

    BFU725F 采用了創(chuàng)新的硅鍺碳 (SiGe:C) BiCMOS制程-QUBiC4X，這是專門為符合現(xiàn)實生活中的高頻應(yīng)用要求所設(shè)計的，可提供優(yōu)越的高功率增益及動態(tài)范圍組合性能，這個晶體管可謂將砷化鎵 (GaAs) 的性能及硅鍺碳的可靠性結(jié)為一體，但不需像使用砷化鎵組件時還要再增加負(fù)偏置電壓 (negative biasing voltages)的設(shè)計，所以在產(chǎn)品應(yīng)用上更能為客戶帶來成本效益。

    Key Features
    Very low noice of 0.69dB at 6GHz
    High Maximum stable gain (Gms) 27.8dB at 1.8GHz
    High switching frequency - fT > 100GHz, fmax > 150GHz
    Plastic surface mounted package, SOT343F

    Key Benefits
    Very low noise of 0.4dB at 1.8GHz
    High gain of 10dB at 18GHz
    SiGe:C process ensures high switching frequency
    Cost-effective alternative to GaAs devices

    Key Applications
    GPS system
    DECT Phone
    2nd stage LNA and mixer in DBS and LNB
    Satellite Radio
    WLAN and CDMA applications
    Low-noise microwave applications