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AO4459

更新時間:2025-06-02 13:56:30

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AO4459 概述

AO4459是由Alpha & Omega Semiconductor公司生產的P溝道MOSFET。該器件采用先進的功率Trench技術，具有低導通電阻特性，在4.5V柵極驅動下典型Rds(on)為28mΩ，適用于電池供電設備中實現(xiàn)高效功率轉換。其最大漏極電流ID為-6.3A，可承受最高-30V的漏源電壓。常見應用包括便攜式電子設備如智能手機、平板電腦等的電源管理電路中的負載開關和DC-DC轉換器。由于其小尺寸DFN2x2封裝，特別適合空間受限的設計場合。使用時需注意保證柵極驅動電壓足夠以確保MOSFET處于良好導通狀態(tài)，并且要關注PCB布局以優(yōu)化散熱性能。在實際電路設計中，可以將其與相應的控制電路配合使用來實現(xiàn)高效的電源切換功能。

AO4459 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
6.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
46 毫歐 @ 6.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
16nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
830pF @ 15V
功率 - 最大
3.1W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOIC
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
785-1036-6

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