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STGW45HF60WD

更新時間:2025-07-03 14:35:31

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STGW45HF60WD外觀圖

STGW45HF60WD

STMicroelectronics IGBT - 單路

IGBT 600V 70A 250W TO247

封裝:TO-247-3

STGW45HF60WD 概述

STGW45HF60WD是意法半導體生產(chǎn)的一款高壓功率MOSFET，采用先進的溝槽柵極技術。該器件設計用于高頻開關電源應用，具有低導通電阻和低柵極電荷特性，有助于減少開關損耗并提高效率。其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達45A，適用于不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、工業(yè)電機驅動等需要高效功率轉換的場合。在電路設計中，建議使用適當?shù)纳岽胧┮源_保穩(wěn)定工作，并注意柵極驅動電壓的選擇以優(yōu)化開關性能。對于高可靠性要求的應用，還需考慮瞬態(tài)電壓抑制和過流保護方案。

STGW45HF60WD 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STGW45HF60WD View All Specifications
標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
IGBT - 單路
系列
-
IGBT 類型
-
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
2.5V @ 15V，30A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
70A
功率 - 最大
250W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247-3
包裝
管件
其它名稱
497-10403-5

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