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STB30N80K5

更新時間:2025-06-10 22:19:00

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨，歡迎咨詢

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深圳市得捷芯城科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，當天可交貨，原型號開票

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原裝現(xiàn)貨，當天可交貨，原型號開票

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深圳市安富世紀電子有限公司
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原廠代理終端免費提供樣品

深圳市華美銳電子有限公司
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TO263/21+
-

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨

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原裝現(xiàn)貨

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昂富（深圳）電子科技有限公司
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軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

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原裝現(xiàn)貨，實單支持

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原裝現(xiàn)貨上海庫存，歡迎咨詢

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深圳市米數(shù)科技有限公司
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深圳市福田區(qū)超洋芯電子經(jīng)營部
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STB30N80K5 概述

STB30N80K5是意法半導體生產(chǎn)的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進工藝制造，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高頻開關電源、直流-直流轉(zhuǎn)換器以及不間斷電源系統(tǒng)等應用場合。其最大漏源電壓為800V，連續(xù)漏極電流可達30A，適合在高壓大電流條件下工作。由于其出色的熱穩(wěn)定性和電氣性能，在工業(yè)控制、電機驅(qū)動以及照明設備等領域也有廣泛應用。使用時應注意合理布局以減少寄生電感，并確保散熱良好，避免過熱損壞。電路設計中通常需要配合柵極驅(qū)動電路來優(yōu)化開關特性。

STB30N80K5 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
900現(xiàn)貨
系列
MDmesh? K5
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
800 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
24A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
180 毫歐 @ 12A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 100μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
43 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1530 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D2PAK（TO-263）
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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廣東微爾科技有限公司

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