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SSP10N60B

更新時間:2025-05-16 14:17:09

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詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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原裝正品，亞太區(qū)混合型電子元器件分銷

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SSP10N60B 概述

SSP10N60B是由Shindaiwa（新大和）或類似知名半導體制造商生產的一款N溝道增強型功率MOSFET。該型號設計用于高效能電源轉換應用，具備低導通電阻和快速開關特性，有助于減少能量損耗并提升系統(tǒng)效率。其最大漏源電壓（Vds）為600V，適合于高壓應用環(huán)境。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、開關模式電源（SMPS）、電機驅動器以及照明控制等需要高電壓和快速切換的領域。在實際使用中，建議確保柵極驅動電路能夠提供足夠的電壓以保證MOSFET完全開啟，并注意散熱設計以維持器件工作溫度在安全范圍內。對于高頻應用，需優(yōu)化PCB布局以減少寄生電感影響。

SSP10N60B 規(guī)格參數(shù)

制造商
Fairchild Semiconductor
產品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
600 V
閘/源擊穿電壓
+/- 30 V
漏極連續(xù)電流
9 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.8 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-220
封裝
Tube
下降時間
115 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
156 W
上升時間
100 ns
工廠包裝數(shù)量
50
典型關閉延遲時間
185 ns

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