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SPI11N60CFD

更新時間:2025-06-14 20:17:33

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SPI11N60CFD 概述

SPI11N60CFD是由STMicroelectronics生產(chǎn)的高性能功率MOSFET。該器件采用先進的平面技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效能電源管理應用。其最大漏極-源極電壓（Vds）為600V，連續(xù)漏極電流（Id）可達11A，適用于高壓、大電流的應用場景。此款MOSFET廣泛應用于開關電源、照明控制、電機驅動等領域，特別適合需要高效率和緊湊設計的場合。在電路設計中，建議將其用于硬開關和軟開關拓撲結構中，如半橋和全橋轉換器。使用時需注意柵極驅動電路的設計，確保足夠的驅動電壓以實現(xiàn)最佳性能，并避免因過壓或欠壓導致的損壞。此外，在PCB布局上應盡量減小寄生電感，提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。

SPI11N60CFD 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
SPI11N60CFD
產(chǎn)品培訓模塊
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
標準包裝
500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
CoolMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
11A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
440 毫歐 @ 7A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 500µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
64nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1200pF @ 25V
功率 - 最大
125W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應商設備封裝
PG-TO262-3
包裝
管件
其它名稱
SP000229994

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