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NZT753

更新時間:2025-06-14 18:32:14

供應商
產(chǎn)品型號
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廠商
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說明
詢價

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NZT753外觀圖

NZT753

Fairchild Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANSISTOR PNP GP 100V SOT-223

封裝:TO-261-4，TO-261AA

NZT753 概述

NZT753是安森美半導體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款高性能N溝道MOSFET。該器件采用先進的溝槽技術制造，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于多種功率管理應用。其最大漏源電壓(VDS)為30V，連續(xù)漏極電流(ID)可達80A，適用于高頻DC-DC轉換器、負載點(POL)電源以及電池供電設備。在實際應用中，NZT753常用于需要高效能和緊湊設計的場合，如筆記本電腦、平板電腦和其他便攜式電子設備。由于其優(yōu)異的熱性能和電氣特性，在同步整流電路中表現(xiàn)出色。使用時應注意確保柵極驅動電壓足夠高以保證完全開啟，推薦柵極電壓范圍為4.5V至12V。在PCB布局時應盡量縮短源極和漏極之間的走線長度，減少寄生電感對開關性能的影響。

NZT753 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
4,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
4A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
100V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
300mV @ 50mA，1A
電流 - 集電極截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
100 @ 500mA，2V
功率 - 最大
1.2W
頻率 - 轉換
75MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-261-4，TO-261AA
供應商設備封裝
SOT-223-3
包裝
帶卷 (TR)

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