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MJD31T4G

更新時間:2025-06-17 15:49:06

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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官網(wǎng)可查icscjh.com

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MJD31T4G外觀圖

MJD31T4G

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS POWER NPN 3A 40V DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

MJD31T4G 概述

MJD31T4G是安森美半導體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的高壓大電流達林頓晶體管，采用TO-220封裝。該器件集成了兩個NPN晶體管，構(gòu)成達林頓對結(jié)構(gòu)，具有高電流增益特性，最大集電極-發(fā)射極電壓VCEO可達100V，集電極電流IC最高支持3A。典型應用場景包括驅(qū)動繼電器、螺線管、燈泡等感性負載以及電機控制等領域。其高增益特性使其非常適合用于需要較大輸出電流的開關(guān)電路和放大器電路。在實際應用中，建議在基極串聯(lián)限流電阻以保護輸入端，并確保良好的散熱設計以維持長期可靠性。由于達林頓結(jié)構(gòu)的特點，需注意其飽和壓降相對較大，可能影響效率，在高頻率應用時應充分考慮開關(guān)速度限制。

MJD31T4G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
3A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
40V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
1.2V @ 375mA，3A
電流 - 集電極截止（最大）
50µA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
10 @ 3A，4V
功率 - 最大
1.56W
頻率 - 轉(zhuǎn)換
3MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
DPAK-3
包裝
帶卷 (TR)

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