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IRF7389TR

更新時間:2025-06-11 11:27:39

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詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市永貝爾半導體有限公司
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中科航電（深圳）電子集團有限
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IRF7389TR外觀圖

IRF7389TR

International Rectifier FET - 陣列

MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

IRF7389TR 概述

IRF7389TR是由Infineon Technologies生產的N溝道和P溝道MOSFET組合芯片。該器件采用PowerPAK SO-8封裝，具有低導通電阻特性，適用于高效功率轉換應用。N溝道MOSFET的最大導通電阻為20mΩ，P溝道則為35mΩ（在4.5V柵極電壓下），這使得它在需要快速開關和低損耗的電路中表現(xiàn)出色。典型應用場景包括DC-DC轉換器、負載點調節(jié)器以及同步整流電路等。由于其小尺寸封裝和高效率性能，特別適合空間受限且對能效有較高要求的消費電子設備如筆記本電腦、手機充電器等。在使用時應注意合理選擇柵極驅動電壓以確保最佳性能，并避免超出最大額定電流值以免損壞器件。

IRF7389TR 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
4,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 陣列
系列
HEXFET®
FET 型
N 和 P 溝道
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
7.3A，5.3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
29 毫歐 @ 5.8A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
33nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
650pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SO
包裝
帶卷 (TR)

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IRF7389TRPBF
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IRF7010
IRF710
IRF7101
IRF7101PBF
IRLML2502

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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