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FQD18N20V2TM

更新時間:2025-07-09 10:48:27

供應商
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廠商
封裝/批號
說明
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FQD18N20V2TM外觀圖

FQD18N20V2TM

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 200V 15A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FQD18N20V2TM 概述

FQD18N20V2TM是由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-252封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效能電源管理應用。其主要應用場景包括直流-直流轉換器、不間斷電源（UPS）、電動工具及各種消費類電子產(chǎn)品的電源電路中。在這些應用中，它能夠有效降低能量損耗并提高系統(tǒng)整體效率。使用時需注意柵極驅(qū)動電壓的選擇以確保MOSFET完全開啟，并且要考慮散熱設計以保證穩(wěn)定工作。例如，在一個典型的降壓轉換器電路中，可以將此MOSFET作為高端或低端開關元件，根據(jù)具體需求調(diào)整外圍元件參數(shù)如電感值、電容值等，以優(yōu)化性能。

FQD18N20V2TM 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
15A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
140 毫歐 @ 7.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
26nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1080pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
TO-252-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FQD18N20V2TM-NDFQD18N20V2TMTR

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FQD10N20LTF
FQD10N20LTM
FT2232D

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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