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FQA13N50C

更新時間:2025-05-18 16:06:56

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產品型號
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封裝/批號
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詢價

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FQA13N50C外觀圖

FQA13N50C

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 500V 13.5A TO-3P

封裝:TO-3P-3，SC-65-3

FQA13N50C 概述

FQA13N50C是飛兆半導體（Fairchild Semiconductor）生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高頻開關電源應用。其最大漏源電壓（Vds）為500V，連續(xù)漏極電流（Id）可達13A，適合用于高壓、大電流的開關電路中。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、直流-直流轉換器、電機驅動器以及照明控制系統(tǒng)等。在實際使用中，建議在柵極與源極之間加一個適當的電阻以限制柵極充電電流，并確保散熱設計合理以維持器件工作溫度在安全范圍內。對于需要快速開關特性的場合，此款MOSFET可以提供高效能的表現。由于其高耐壓特性，特別適合于工業(yè)級電力電子設備的設計需求。

FQA13N50C 規(guī)格參數

標準包裝
450
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
13.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
480 毫歐 @ 6.75A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
56nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2055pF @ 25V
功率 - 最大
218W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應商設備封裝
TO-3PN
包裝
管件

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FQA13N50CF
FQA13N50CF_F109
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FQA10N60C
FQA10N80
FQA10N80_F109
F4558

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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