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FDS86140

更新時間:2025-05-22 07:38:24

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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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5000
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FDS86140外觀圖

FDS86140

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

FDS86140 概述

FDS86140是安森美半導體(ON Semiconductor)生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用Power56封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓為30V，適用于需要高效電源管理的應用場景。典型應用場景包括直流-直流轉換器、負載開關、電池保護電路以及同步整流等便攜式電子設備中。在筆記本電腦、平板電腦和其他消費類電子產品中廣泛應用。使用建議：在PCB布局時應盡量縮短源極到地的引線長度以降低寄生電感。驅動電路設計時需考慮其柵極電容，確保足夠的驅動能力。推薦在柵極串聯小阻值電阻來抑制振蕩，并添加適當的散熱措施以提高可靠性。注意工作溫度范圍，確保在規(guī)定溫度范圍內使用以保證性能穩(wěn)定。

FDS86140 規(guī)格參數

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
11.2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
9.8 毫歐 @ 11.2A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
41nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2580pF @ 50V
功率 - 最大
2.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SO
包裝
帶卷 (TR)

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廣東微爾科技有限公司

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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