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FDPF10N60NZ

更新時間:2025-05-17 17:10:35

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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市華諦誠電子有限公司
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FDPF10N60NZ外觀圖

FDPF10N60NZ

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220F

封裝:TO-220-3 整包

FDPF10N60NZ 概述

FDPF10N60NZ是由ON Semiconductor（安森美半導體）生產的MOSFET。這款N溝道增強型功率MOSFET采用TO-220F封裝，適用于多種高電壓應用場合。它具有低導通電阻特性，在柵極 - 源極電壓為10V時典型值僅為0.18歐姆，有助于降低導通損耗。該器件的最大漏源電壓（Vds）可達600V，連續(xù)漏極電流（Id）在25℃下為10A，使其非常適合于交流 - 直流電源轉換器、逆變器以及不間斷電源等電力電子設備中。在實際應用中，要注意保證其工作溫度范圍在 - 55℃到 + 150℃之間。設計電路時需考慮適當?shù)纳岽胧┮源_保穩(wěn)定運行，例如加裝散熱片。在驅動方面，要確保提供足夠的柵極驅動電壓來充分開啟MOSFET。

FDPF10N60NZ 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
UniFET-II™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
10A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
750 毫歐 @ 5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
30nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1475pF @ 25V
功率 - 最大
38W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220F
包裝
管件

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廣東微爾科技有限公司

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FSUSB30MUX

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