FDN86265P是由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產(chǎn)的一款P溝道MOSFET。該器件采用PowerPAK 1212封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。這款MOSFET的最大漏源電壓(VDS)為-20V，在室溫下的最大連續(xù)漏極電流(ID)為-4.5A。其典型應(yīng)用包括負(fù)載開關(guān)、電源管理、電池保護(hù)電路以及便攜式設(shè)備中的DC-DC轉(zhuǎn)換器。由于其緊湊的封裝設(shè)計(jì)和良好的電氣性能，特別適合空間受限且對效率要求較高的場合。在實(shí)際應(yīng)用中，建議使用適當(dāng)?shù)臇艠O驅(qū)動電路以確保MOSFET能夠完全導(dǎo)通或截止，減少不必要的功耗。此外，應(yīng)考慮PCB布局優(yōu)化以降低寄生電感的影響，特別是在高頻操作時(shí)。對于需要精確控制輸出電壓的應(yīng)用，可以結(jié)合PWM控制器使用此款MOSFET來實(shí)現(xiàn)高效的電壓調(diào)節(jié)功能。

FDN86265P 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
PowerTrench?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
P 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
150 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
800mA（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
1.2 歐姆 @ 800mA，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）
4.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
210 pF @ 75 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.5W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
SOT-23-3
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

芯知識

2.2萬

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FDN86265P

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FDN86265P

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