FCB110N65F是由安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款高性能N溝道MOSFET。該器件采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，具有極低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其最大漏源電壓為650V，連續(xù)漏極電流可達(dá)110A，非常適合用于高功率密度設(shè)計(jì)。常見應(yīng)用場(chǎng)景包括不間斷電源（UPS）、太陽(yáng)能逆變器、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及開關(guān)模式電源（SMPS）。在這些應(yīng)用中，F(xiàn)CB110N65F能夠有效降低開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率。由于其快速開關(guān)特性和低反向恢復(fù)電荷，特別適合高頻應(yīng)用。使用建議：在電路設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意適當(dāng)?shù)纳峁芾硪源_保最佳性能。推薦使用足夠的銅面積或散熱器來(lái)幫助散熱。此外，驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)盡量減少振鈴現(xiàn)象以避免不必要的EMI問題。對(duì)于高頻應(yīng)用，選擇合適的柵極電阻值可以優(yōu)化開關(guān)速度。

FCB110N65F 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
FRFET?, SuperFET? II
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
不適用于新設(shè)計(jì)
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
35A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
110 毫歐 @ 17.5A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
5V @ 3.5mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）
145 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
4895 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
357W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
D2PAK（TO-263）
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

芯知識(shí)

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FCB110N65F

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FCB110N65F

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