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CSD17381F4

更新時間:2025-05-23 04:39:44

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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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深圳市華盛錦科技有限公司
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深圳市華銳源電子科技有限公司
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貿澤芯城（深圳）電子科技有限
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深圳市博偉奇電子有限公司
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深圳市福啟達科技有限公司
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北京天陽誠業(yè)科貿有限公司
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深圳市弘為電子有限公司
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深圳市宏世佳電子科技有限公司
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CSD17381F4 概述

**CSD17381F4概述** CSD17381F4是由Texas Instruments（德州儀器）生產的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用先進的PowerTrench工藝制造，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效電源管理應用。這款MOSFET的最大漏源電壓(VDS)為30V，連續(xù)漏極電流(ID)可達25A。其超低的RDS(on)值確保了在高電流應用中能實現最小的功率損耗。CSD17381F4采用小巧的4mm x 4mm SON封裝，非常適合空間受限的設計需求。典型應用場景包括DC-DC轉換器、負載開關、電池保護電路以及各種便攜式電子設備中的電源管理模塊。由于其出色的熱性能和電氣特性，它也常被用于需要高效散熱和緊湊布局的高性能電源解決方案中。在實際應用中，建議注意適當的PCB布局以優(yōu)化散熱，并根據具體工作條件選擇合適的柵極驅動電阻，確?？煽康拈_關操作。

CSD17381F4 規(guī)格參數

現有數量
4,620現貨
系列
NexFET?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
3.1A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
109 毫歐 @ 500mA，8A
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
1.35 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
12V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
195 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
3-PICOSTAR
封裝/外殼
3-XFDFN

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