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BSC093N04LS G

更新時間:2025-06-22 23:06:29

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深圳市芯齊壹科技有限公司
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深圳市金燦利電子科技有限公司
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全新原裝現(xiàn)貨/實單價格支持/優(yōu)勢渠道

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BSC093N04LS G 概述

BSC093N04LS G是由英飛凌科技生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的OptiMOS工藝制造，具有低導通電阻和低柵極電荷特性，適用于高效功率轉換應用。它通常用于開關電源、同步整流、DC-DC轉換器以及電機驅動等場合。其最大漏源電壓為40V，連續(xù)漏極電流能力可達100A（在25°C條件下），非常適用于高功率密度設計。由于具備優(yōu)異的開關性能，能夠顯著降低開關損耗，提高系統(tǒng)整體效率。在實際應用中，需注意適當?shù)纳嵩O計以確保穩(wěn)定工作，推薦使用PCB銅箔作為散熱途徑，并遵循制造商提供的電氣參數(shù)進行電路設計。

BSC093N04LS G 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
BSC093N04LS GBSC093N04LS G
標準包裝
5,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
49A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
9.3 毫歐 @ 40A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 14µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
24nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1900pF @ 20V
功率 - 最大
35W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerTDFN
供應商設備封裝
PG-TDSON-8（5.15x6.15）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
BSC093N04LS G-NDBSC093N04LS GTRSP000387929

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