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APT200GT60JR

更新時間:2025-06-08 13:52:55

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代理分銷現(xiàn)貨庫存，本公司承諾原裝假一賠百

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原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單

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高可靠模塊電源源頭工廠，可定制產(chǎn)品

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專注電子元件十年，只做原裝現(xiàn)貨

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原裝現(xiàn)貨

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原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商全新進口深圳現(xiàn)貨原盒原包

深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨

中科航電（深圳）電子集團有限
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

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一級代理進口原裝現(xiàn)貨、假一罰十價格合理

上海熠富電子科技有限公司
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上海原裝現(xiàn)貨庫存，歡迎查詢

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一級代理
NEW/NEW
一級代理保證

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深圳原包裝代理現(xiàn)貨庫存

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一級代理/全新原裝現(xiàn)貨供應

上海凱昂電子技術有限公司
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無錫固電半導體股份有限公司
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ISC/無錫固電
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國產(chǎn)品牌isc，替代進口

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Microchip Technology
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全新原裝現(xiàn)貨直銷

深圳市河鋒鑫科技有限公司
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9000
Microsemi Corporation
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原廠渠道，現(xiàn)貨配單

深圳市硅宇電子有限公司
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Microchip(微芯)
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APT200GT60JR 概述

APT200GT60JR是由Microsemi（現(xiàn)已被Microchip收購）生產(chǎn)的一款功率MOSFET。這款N溝道增強型MOSFET專為高電壓和大電流應用設計，具有低導通電阻特性，有助于減少功耗并提高系統(tǒng)效率。其最大漏源電壓（Vds）可達600V，連續(xù)漏極電流（Id）在25℃下能達到20A，適用于工業(yè)電源、電機驅(qū)動以及不間斷電源等高壓高頻開關電路中。在具體應用時，建議關注該器件的散熱設計以確?？煽窟\行。由于其較高的開關速度，合理布局PCB走線，減小寄生電感對電路性能的影響也十分重要。例如，在設計電機驅(qū)動電路時，可采用該MOSFET作為H橋或半橋電路的核心開關元件，并搭配適當?shù)臇艠O驅(qū)動器來優(yōu)化開關性能。注意遵循數(shù)據(jù)手冊中的推薦條件進行設計與使用。

APT200GT60JR 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
Thunderbolt IGBT?
包裝
托盤
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
IGBT 類型
NPT
配置
單路
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）
195 A
功率 - 最大值
500 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）
2.5V @ 15V，200A
電流 - 集電極截止（最大值）
25 μA
不同?Vce 時輸入電容 (Cies)
8.65 nF @ 25 V
輸入
標準
NTC 熱敏電阻
無
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商器件封裝
SOT-227

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