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2SA2013-TD-E

更新時間:2025-05-18 23:55:32

供應商
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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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2SA2013-TD-E外觀圖

2SA2013-TD-E

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS PNP BIPO 4A 50V SOT89-3

封裝:TO-243AA

2SA2013-TD-E 概述

2SA2013-TD-E是東芝（Toshiba）公司生產(chǎn)的一款硅NPN功率晶體管。它采用SOT-89表面貼裝封裝，具有低飽和電壓和高電流增益的特點，適用于低頻放大器和開關應用。由于其良好的熱阻性能，該晶體管在電源管理電路中表現(xiàn)出色，能夠承受較高的工作溫度，適合用于緊湊型設計。典型應用場景包括DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動控制、繼電器驅(qū)動以及各種需要大電流處理能力的模擬電路中。使用時應注意散熱設計，避免因過熱導致性能下降或損壞。

2SA2013-TD-E 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
4A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
50V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
340mV @ 100mA，2A
電流 - 集電極截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
200 @ 500mA，2V
功率 - 最大
3.5W
頻率 - 轉(zhuǎn)換
400MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-243AA
供應商設備封裝
PCP
包裝
帶卷 (TR)

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