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2N7002KDW

更新時間:2025-07-04 14:29:12

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2N7002KDW 概述

2N7002KDW是一款由多個制造商生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET，常見于ON Semiconductor等廠商的產(chǎn)品目錄中。它采用超小型的SOT-363封裝，適合高密度表面貼裝應用?；A(chǔ)描述為低導通電阻、快速開關(guān)特性的晶體管，最大漏源電壓為60V，適用于高速開關(guān)電路。典型應用場景包括電池供電設備中的負載開關(guān)、電源管理中的DC-DC轉(zhuǎn)換器以及信號切換電路。在實際使用時，建議關(guān)注柵極驅(qū)動電壓的選擇，確保能夠可靠地開啟和關(guān)閉MOSFET。對于小信號控制場合，可直接用微控制器引腳驅(qū)動；而在需要大電流驅(qū)動能力的場景，則需添加合適的驅(qū)動電路以保證器件正常工作。設計電路時應注意走線布局以減少寄生電感影響，提高整體電路性能。

2N7002KDW 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
配置
2 N-通道（雙）
FET 功能
-
漏源電壓（Vdss）
60V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
340mA（Ta）
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
2.5 歐姆 @ 300mA，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
2.4nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
30pF @ 30V
功率 - 最大值
350mW（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商器件封裝
SOT-363

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