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2N7002BKV,115

更新時間:2025-05-18 12:37:24

供應商
產(chǎn)品型號
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封裝/批號
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詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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2N7002BKV,115外觀圖

2N7002BKV,115

NXP Semiconductors FET - 陣列

MOSFET N-CH 60V 340MA SOT666

封裝:SOT-563，SOT-666

2N7002BKV,115 概述

2N7002BKV,115是Nexperia公司生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用SOT-553封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高速開關應用。其最大漏源電壓為60V，在柵極驅(qū)動電壓為4.5V時，典型導通電阻僅為350mΩ。這款MOSFET廣泛應用于電源管理、負載開關和信號切換電路中。例如在DC-DC轉(zhuǎn)換器中可用作同步整流管，在電池供電設備中可作為高效開關使用。由于其小尺寸封裝特點，特別適合對空間要求嚴格的便攜式電子設備。在實際應用中，建議在PCB布局時盡量縮短源極和漏極走線長度以減少寄生電感影響。此外，柵極驅(qū)動電路需確保足夠的上升沿速度以充分發(fā)揮其快速開關性能。如果用于高頻場合，需考慮適當?shù)纳岽胧┮员ＷC器件穩(wěn)定工作。

2N7002BKV,115 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
2 個 N 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
340mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.6 歐姆 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
0.6nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
50pF @ 10V
功率 - 最大
350mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SOT-563，SOT-666
供應商設備封裝
SOT-666
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
568-5979-6

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廣東微爾科技有限公司

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